[发明专利]一种薄膜电阻、溅射靶材、带电阻金属箔及制备方法

权利要求书

1.一种薄膜电阻，其特征在于，含有50％～96％(重量)的Fe，2％～30％(重量)的Al，2％～20％(重量)的N。

2.根据权利要求1所述的薄膜电阻，其特征在于，含有65％(重量)的Fe，20％(重量)的Al，15％(重量)的N。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜电阻，其特征在于，所述薄膜电阻厚度为0.05μm至5μm。

4.一种带电阻金属箔，其特征在于，包含金属箔和附于金属箔上的如权利要求1～3任一项所述的薄膜电阻。

5.一种制造薄膜电阻的方法，其特征在于，包括步骤：

S1：制备溅射靶材，所述溅射靶材上含有50％～96％(重量)的Fe，2％～30％(重量)的Al；

S2：将薄膜电阻所需附着的基材放入镀膜腔内，而后对镀膜腔抽真空使得镀膜腔的气压低于3×10^-3帕；

S3：向镀膜腔内充入氩气和氮气的混合气体使得镀膜腔内的气压稳定在0.1～3.0帕；

S4：沉积薄膜，使得薄膜电阻的厚度在0.05-5μm范围内。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤S3中氩气与氮气的体积比值为1.5～25。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤S4中，通过控制沉积时间和沉积功率来控制薄膜电阻的厚度。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述基材为玻璃、陶瓷、金属或高分子材料。