[发明专利]非挥发性存储器及非挥发性存储器的制造方法

权利要求书

1.一种非挥发性存储器，包括：

深阱，其配备在基板上；

第1阱，其配备在所述深阱区域内；

第2阱，其配备在所述深阱区域内与所述第1阱隔离；

第1场效应晶体管，其配备在所述第1阱上；和

第2场效应晶体管，其配备在所述第2阱上。

2.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中，所述深阱包括N类型的导电型深阱，且

所述第1阱及所述第2阱，各自包括P类型的导电型阱，且

所述第1场效应晶体管及所述第2场效应晶体管为导电型NMOS。

3.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中，所述第1阱及所述第2阱中的至少一个，在所述非挥发性存储器中相邻的存储单元之间被共享。

4.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中，所述非挥发性存储器，认可所述第1场效应晶体管中对应于数据记录的第1电压，并认可所述第2阱区域及所述第2场效应晶体管中各自预先设置的电压，且相一致地保持所述第2阱区域的电压，与相邻的存储单元不同地来认可所述第2场效应晶体管的源电压及漏电压，从而仅将数据记录在选择的存储单元中。

5.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中，所述非挥发性存储器，为了将数据记录在存储器中，在所述第1场效应晶体管的源区域、漏区域、及阱区域的至少一个中认可对应于数据记录的第1电压，并认可所述非挥发性存储器中包括的存储单元和所述存储单元相邻的存储单元所共享的所述第2阱区域中预先设置的电压，并在所述第2场效应晶体管的源区域、漏区域的至少一个中认可预先设置的电压，将没有被选择为记录数据的存储单元中所包含的所述第2场效应晶体管的源区域及漏区域控制为0V或浮动，从而进行控制，使电子通过隧穿至所述第2场效应晶体管的浮栅被注入。

6.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中，所述非挥发性存储器，为了将数据记录在存储器中，在所述第1场效应晶体管的源区域、漏区域、及阱区域的至少一个中认可对应于数据记录的第1电压，并认可所述非挥发性存储器中包括的存储单元和所述存储单元相邻的存储单元所共享的所述第2阱区域中为0V的电压，并认可所述第2场效应晶体管的源区域中为0V的电压，并认可所述第2场效应晶体管的漏区域中预先设置的电压，将没有被选择为记录数据的存储单元中所包含的所述第2场效应晶体管的漏区域控制为0V或浮动，从而进行控制，使所述第2场效应晶体管的信道中所生成的信道热电子被注入至所述第2场效应晶体管的浮栅。

7.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中，所述非挥发性存储器，为了将数据记录在存储器中，在所述第1场效应晶体管的源区域、漏区域、及阱区域的至少一个中认可对应于数据删除的第2电压，并认可所述非挥发性存储器中包括的存储单元和所述存储单元相邻的存储单元所共享的所述第2阱区域中预先设置的电压，并在所述第2场效应晶体管的源区域、漏区域的至少一个中认可预先设置的电压，将没有被选择为记录数据的存储单元中所包含的所述第2场效应晶体管的源区域及漏区域控制为0V或浮动，从而进行控制，使电子从所述第2场效应晶体管的浮栅经隧穿被清除。

8.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中，所述非挥发性存储器，为了将数据记录在存储器中，在所述第1场效应晶体管的源区域、漏区域、及阱区域的至少一个中认可对应于数据删除的第2电压，并认可所述非挥发性存储器中包括的存储单元和所述存储单元相邻的存储单元所共享的所述第2阱区域中为0V或预先设置的电压，并认可所述第2场效应晶体管的源区域中为0V的电压，并认可所述第2场效应晶体管的漏区域中预先设置的电压，将没有被选择为记录数据的存储单元中所包含的所述第2场效应晶体管的漏区域控制为0V或浮动，从而将阴极电压引入至所述第2场效应晶体管的浮栅，并进行控制，使所述第2场效应晶体管的信道区域中经碰撞电离所生成的穴被注入至所述第2场效应晶体管的浮栅。

9.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中，所述第1场效应晶体管包括一个以上的n+型区域及一个以上的p+型扩散区域中的至少一个。

10.如权利要求1所述的非挥发性存储器，进一步包括：

选择性晶体管，其配备在所述第2阱上。