[发明专利]基板处理装置

说明书

本申请是2008年10月29日提出的申请号为200810173055.7、发明名称为“气体供给装置、基板处理装置和基板处理方法”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及对基板进行等离子体蚀刻等基板处理时，向处理容器供给气体的气体供给装置、和包括这种气体供给装置的基板处理装置、以及基板处理方法。

背景技术

在半导体装置或液晶显示装置等电子设备的制造工艺中，进行在基板表面形成规定膜的成膜处理、和将在基板上形成的膜加工成规定图案的蚀刻处理等的基板处理。

在这种基板处理中，从获得高反应性的观点出发，有时使用等离子体，特别是在蚀刻处理中大多使用等离子体蚀刻装置。等离子体蚀刻装置具有：在收容基板的处理容器内，载置基板的下部电极；和与下部电极相对设置，构成向下部电极的基板喷出气体的喷淋头的上部电极。并且，从喷淋头喷出规定的混合气体，同时在两电极之间形成高频电场，生成等离子体，利用该等离子体蚀刻基板上的膜。

在这种等离子体蚀刻装置中，由于供给到基板上的气体浓度会影响蚀刻速率或蚀刻选择比等蚀刻特性，所以从使蚀刻特性在基板面内均匀的观点出发，提出了各种调整基板面内气体分布的方法。

例如在专利文献1中，公开了以比较简单的配管结构向处理容器的多个部位供给任意混合气体、并调整气体分布的技术。并且，在专利文献2中，公开了使处理气体分支为第一和第二流路，使其从喷淋头的第一和第二部位喷出，使规定的附加气体通过这些流路流通，调整气体成分或流量，以简单的配管结构和控制向处理容器的多个部位供给任意混合气体，并调整气体分布的技术。此外，在专利文献3中，公开了使处理气体分支为第一和第二流路，使其从喷淋头的第一和第二部位喷出，并且能够与其单独地喷出规定的附加气体，以更高的自由度调整气体成分和流量，以简单的配管结构和控制向处理容器的多个部位供给任意混合气体，并调整气体分布的技术。

专利文献1：日本专利特开平2006-165399号公报

专利文献2：日本专利特开平2007-207808号公报

专利文献3：日本专利特开平2007-214295号公报

但是，基板的面内均匀性的规格变得更加严格，特别是进行基板边缘最外周的特性修正非常困难，如果仅采用上述技术，有时不能说面内均匀性充分。并且，根据工艺有时不必使用附加气体，如上述专利文献3所述另外设置附加气体管时，在不使用附加气体的情况下，可能会导致出现在附加气体喷出用的喷出孔发生沉积或者在喷出孔附近发生异常放电的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够采用简单的配管结构，同时有效地进行基板最外周的特性修正的气体供给装置。

另外，本发明的目的还在于提供能够有效修正基板最外周的特性、并在基板的面内进行均匀处理的基板处理装置和基板处理方法。

并且，本发明的目的还在于提供除处理气体外还能够供给附加气体、在不供给附加气体的情况下很难发生沉积和异常放电的气体供给装置、以及基板处理装置和基板处理方法。

为了解决上述课题，在本发明的第一观点中，提供一种气体供给装置，其为向配置有被处理基板的处理室内供给气体的气体供给装置，其特征在于，包括：气体导入部件，其在所述处理室内，与该处理室内配置的被处理基板相对设置，具有向上述处理室内导入气体的多个气体导入部；处理气体供给部，其向上述气体导入部件供给对被处理基板进行处理的处理气体；处理气体供给流路，其流通来自上述处理气体供给部的处理气体；多个分支流路，其从上述处理气体供给流路分支，与上述气体导入部件连接，以规定的分流比例供给上述处理气体；附加气体供给部，其向上述气体导入部件供给用于调整基于上述处理气体的处理特性的附加气体；和附加气体供给流路，其流通来自上述附加气体供给部的附加气体，与上述气体导入部件连接。上述多个气体导入部具有向上述被处理基板的配置区域供给气体的多个内侧气体导入部、和向上述被处理基板外缘的外侧区域导入气体的外侧气体导入部，上述多个分支流路与上述多个内侧气体导入部连接，上述附加气体供给流路与上述外侧气体导入部连接。