[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201310153184.0 | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103236402A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 姜春生;方婧斐 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管制作方法，在基板上形成包括：栅极、栅绝缘层、氧化物半导体层、源漏极层的图形，其特征在于，在形成所述氧化物半导体层图形之后，在所述氧化物半导体层的表面形成金属氧化物的刻蚀阻挡层的图形。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，在氧化物半导体层的表面形成金属氧化物的刻蚀阻挡层的图形的步骤具体包括：
在形成有所述氧化物半导体层的基板表面形成金属层；
通过构图工艺，形成金属氧化物的刻蚀阻挡层的图形。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，在形成有所述氧化物半导体层的基板表面形成金属层的步骤具体为：将所述含有金属离子的溶液注射到形成有所述氧化物半导体层的基板表面，并通过化学镀工艺在所述氧化物半导体层表面形成所述金属层。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，对所述金属层进行氧化处理形成金属氧化物的刻蚀阻挡层的图形；
所述氧化处理为对形成金属层的基板加热烘干，同时通入氧气。
5.如权利要求3所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述含有金属离子的溶液中包括：络合剂、稳定剂、表面活性剂、加速剂以及PH值调节剂中至少一种。
6.如权利要求1～5中任一项所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述金属氧化物为Al2O3。
7.一种薄膜晶体管，包括：形成在基板上的栅极、栅绝缘层、氧化物半导体层及源漏极层，其特征在于，还包括形成在氧化物半导体层的背离所述基板表面的由金属氧化物制成的刻蚀阻挡层。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物为Al2O3。
9.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求7或8所述的薄膜晶体管。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
