[发明专利]一种三结级联太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种三结级联太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长In_xGa_1-xAs_1-yN_y底电池层、第一隧道结、In_xGa_1-xAs_1-yN_y中间电池层、第二隧道结、Al_pGa_1-p-qIn_qP顶电池层及GaAs接触层；再在所述GaAs衬底底部及所述GaAs接触层顶部制作欧姆电极。

2.根据权利要求1所述太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述In_xGa_1-xAs_1-yN_y底电池层、所述In_xGa_1-xAs_1-yN_y中间电池层、所述Al_pGa_1-p-qIn_qP顶电池层均各包括上下层叠的N型发射区和P型基区。

3.根据权利要求2所述太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述N型发射区掺杂浓度为2×10¹⁸cm^-3，生长厚度为0.2微米；所述P型基区的掺杂浓度为3×10¹⁷cm^-3，生长厚度为3.0微米。

4.根据权利要求1或2所述太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述In_xGa_1-xAs_1-yN_y底电池层的禁带宽度为0.94±0.01eV；所述In_xGa_1-xAs_1-yN_y底电池层的x、y分别为10.0%、3.0%。

5.根据权利要求1或2所述太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述In_mGa_1-mAs_1-nN_n中间电池层的禁带宽度为1.39±0.01eV；所述In_mGa_1-mAs_1-nN_n中间电池层的m、n分别为1.0%、0.30%。

6.根据权利要求1或2所述太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述Al_pGa_1-p-qIn_qP顶电池层的禁带宽度为1.93±0.01eV；所述Al_pGa_1-p-qIn_qP顶电池层的p、q分别为3.6%、49.0%。

7.根据权利要求1所述太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一隧道结和/或第二隧道结包括上下层叠的P型层以及N型层，所述N型层的材质为N型GaInP或N型GaAs；所述P型层的材质为P型GaAs或者P型AlGaInP；所述N型层或P型层的掺杂浓度不小于1×10¹⁹cm^-3，生长厚度均为0.015微米。

8.根据权利要求1～7任一项所述的三结级联太阳能电池，其特征在于，包括依次在GaAs衬底上生长的In_xGa_1-xAs_1-yN_y底电池层、第一隧道结、In_mGa_1-mAs_1-nN_n中间电池层、第二隧道结、Al_pGa_1-p-qIn_qP顶电池层及GaAs接触层；所述GaAs衬底底部及所述GaAs接触层顶部还设有欧姆电极。