[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种能够均匀地处理基板的基板处理装置。

背景技术

基板处理装置在制造平板显示器时使用，大致分为沉积（Vapor Deposition）装置和退火（Annealing）装置。

沉积装置是用于形成构成平板显示器的核心结构的透明导电层、绝缘层、金属层或硅层的装置，有诸如低压化学气相沉积（LPCVD、Low Pressure Chemical Vapor Deposition）或等离子体增强化学气相沉积（PECVD、Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）等化学气相沉积装置和诸如溅射（Sputtering）等物理气相沉积装置。

而且，退火装置是在基板上沉积膜之后提高沉积膜特性的装置，用于进行使沉积膜发生结晶化或相变化的热处理的装置。

基板处理装置分为对一个基板进行处理的单处理式（Single Substrate Type）和对多个基板进行处理的批处理式（Batch Type）。单处理式基板处理装置具有结构简单的优点，但存在生产率低的缺点。大规模生产时常用批处理式基板处理装置。

通常，基板处理装置包括本体，该本体用于形成作为装载基板并进行处理的空间的腔室。在所述本体的前表面形成有供基板出入的出入口，且设置有用于开闭所述出入口的门。

此外，在所述腔室内设置有用于加热基板的多个棒状的加热器。此时，所述加热器被设置成，在所述本体的前后方向上隔着间距且平行于所述本体的左右方向，同时与所述本体的前后方向平行地设置于所述出入口外侧的所述腔室。而且，分别与所述本体的左右方向和前后方向平行的所述加热器分别沿上下隔着间距设置。

如上所述的现有的基板处理装置，由于其结构上原因，在设置有所述门的所述腔室部位难以设置所述加热器。因此，进行基板处理时，所述门侧的所述腔室部位和所述腔室的其它部位的温度不均匀，从而可能存在基板处理不均匀的风险。

有关基板处理装置的在先技术被韩国公开特许公报第10-2010-0008722号等公开。

发明内容

本发明是为了解决如上所述的现有技术的问题而提出，本发明的目的在于，提供一种能够使腔室的所有部位的温度均匀以便能够均匀地处理基板的基板处理装置。

用于达到所述目的的本发明涉及的基板处理装置，包括：本体，在其内部形成有作为处理基板的空间的腔室，并且在其前表面上形成有与所述腔室连通且供基板出入的出入口；门，设置在所述本体的前表面上，用于开闭所述出入口；多个第一加热器，设置在所述腔室；多个第二加热器，设置在所述门上。

本发明涉及的基板处理装置，在用于开闭出入口的门的内侧门上设置有多个第二加热器。因此，用门封闭出入口之后进行基板处理时，腔室所有部位的温度均匀，从而具有基板被均匀处理的效果。

附图说明

图1是本发明的一实施例涉及的基板处理装置的立体图。

图2是图1中示出的门的分解立体图。

图3是图2中示出的内侧门的后表面立体图。

图4是本发明的另一实施例涉及的内侧门的后表面立体图。

附图标记：

110：本体

120：门

121：外侧门

125：内侧门

141：短轴加热器

145：长轴加热器

151、153、155：第二加热器

具体实施方式

下面，参照例示出能够实施本发明的具体实施例的附图详细说明本发明。为了使本领域的技术人员能够充分实施本发明，详细说明这些实施例。应理解为，本发明的各种实施例彼此不同，但相互并不排斥。例如，这里所记载的一实施例的具体形状、具体结构和特性，在不脱离本发明精神和范围的情况下，可以由其他实施例来实现。另外，应理解为，各自公开的实施例中的个别构成要素的位置或配置，在不脱离本发明精神和范围的情况下可以进行变更。因此，后述的详细说明并无限定之意，准确地说明，本发明的保护范围仅以权利要求书所记载的内容为准，包含与其权利要求所主张的内容等同的所有范围。为方便起见，也有可能夸张地表现出附图所示的实施例的长度、面积、厚度及形态。

说明本实施例时，应理解为，所谓基板处理是包括加热及冷却基板的工艺、为了在基板上沉积规定膜而进行的所有工艺、为了使基板上沉积的规定膜退火、结晶化或相变化而进行的所有热处理工艺等。

下面，参照附图详细说明本发明的一实施例涉及的基板处理装置。