[发明专利]用于电子装置的电子阻挡层

权利要求书

1.一种存储器装置的栅极堆叠，所述栅极堆叠包含：

在隧穿电介质层上的电荷存储层，所述电荷存储层包含局域化电荷捕集器；

在所述电荷存储层上的第一电介质层，所述第一电介质层包含具有第一介电常数的第一氧氮化物；

在所述第一电介质层上的第二电介质层，所述第二电介质层包含具有第二介电常数的氧化物；及

在所述第二电介质层上的第三电介质层，所述第三电介质层包含具有第三介电常数的第二氧氮化物，

其中所述第一及第三介电常数大于所述第二介电常数。

2.根据权利要求1所述的栅极堆叠，其中所述存储器装置展现在250℃的温度下在24小时的周期内约5V或更小的电荷损失。

3.根据权利要求1所述的栅极堆叠，其中所述第二电介质层具有从约8nm到约16nm的厚度。

4.根据权利要求1所述的栅极堆叠，其中所述第一及第三电介质层中的每一者具有从约1nm到约6nm的厚度。

5.根据权利要求1所述的栅极堆叠，其中所述第一及第三电介质层包含氧氮化铪及氧氮化硅中的至少一者。

6.根据权利要求1所述的栅极堆叠，其中所述第二电介质层包含氧化铝。

7.根据权利要求1所述的栅极堆叠，其中所述局域化电荷捕集器为金属纳米晶体。

8.根据权利要求1所述的栅极堆叠，其中所述第一电介质层包括比所述第三电介质层低的氮浓度。

9.根据权利要求1所述的栅极堆叠，其中所述存储器装置展现在250℃的温度下在24小时的周期内约85%或更大的电荷保留。

10.根据权利要求9所述的栅极堆叠，其中所述存储器装置展现在所述250℃的温度下在所述24小时的周期内约90%或更大的电荷保留。

11.一种存储器装置的栅极堆叠，所述栅极堆叠包含：

在隧穿电介质层上的电荷存储层，所述电荷存储层包含多晶硅；

在所述电荷存储层上的第一电介质层，所述第一电介质层包含具有第一介电常数的第一氧氮化物；

在所述第一电介质层上的第二电介质层，所述第二电介质层包含具有第二介电常数的氧化物；及

在所述第二电介质层上的第三电介质层，所述第三电介质层包含具有第三介电常数的第二氧氮化物，

其中所述第一及第三介电常数大于所述第二介电常数，且其中所述存储器装置展现在250℃的温度下在24小时的周期内约85%或更大的电荷保留。

12.一种存储器装置的栅极堆叠，所述栅极堆叠包含：

在隧穿电介质层上的电荷存储层，所述电荷存储层包含氮化物；

在所述电荷存储层上的第一电介质层，所述第一电介质层包含氧化物；及

在所述第一电介质层上的第二电介质层，所述第二电介质层包含氧氮化物，

其中第二介电常数大于第一介电常数，且所述存储器装置展现在250℃的温度下在24小时的周期内约85%或更大的电荷保留。

13.一种制作存储器装置的栅极堆叠的方法，所述方法包含：

在衬底上方形成隧穿电介质层；

在所述隧穿电介质层上方形成包含局域化电荷捕集器的电荷存储层；

在所述电荷存储层上方形成包含第一氧化物的第一电介质层；

在所述第一电介质层上方形成包含第二氧化物的第二电介质层；

在所述第二电介质层上方形成包含第三氧化物的第三电介质层；

从所述第一氧化物及所述第三氧化物中的至少一者形成氧氮化物。

14.根据权利要求13所述的方法，其中从所述第一氧化物及所述第三氧化物中的至少一者形成的所述氧氮化物包含Hf。

15.根据权利要求13所述的方法，其中从所述第一氧化物及所述第三氧化物中的至少一者形成的所述氧氮化物包含Si。

16.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述氧氮化物包含将所述第一氧化物及所述第三氧化物中的至少一者暴露到氮等离子体。

17.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述氧氮化物包含在约900℃或更低的温度下在氨中对所述第一氧化物及所述第三氧化物中的至少一者进行退火。