[发明专利]包括输入信号限制网络的放大电路

权利要求书

1.一种用于换能器信号的集成放大电路，包括：

-半导体衬底，包括第一极性半导体材料，所述半导体衬底进一步包括：

-前置放大器，包括用于接收所述换能器信号的输入，

-信号限制网络，包括耦合在所述前置放大器的输入和所述集成放大电路的第一预定电位之间的第一和第二平行支路；

-第一支路，包括被耦合为通过所述限制网络沿第一方向传导电流的多个级联半导体二极管，

-第二支路，包括被耦合为通过所述限制网络沿第二方向传导电流的多个级联半导体二极管；

-电流阻挡件，被配置为中断在所述第一支路或者所述第二支路的半导体二极管的阳极或者阴极与所述半导体衬底之间的寄生电流路径。

2.根据权利要求1所述的集成放大电路，其中所述第一支路和所述第二支路中的至少一个的每个半导体二极管包括：

-电流阻挡件，被配置为中断在所述半导体二极管的阳极或者阴极与所述半导体衬底之间的寄生电流路径。

3.根据权利要求1所述的集成放大电路，其中所述第一支路或者所述第二支路的所述半导体二极管包括：

-第一极性的第一阱扩散，形成所述半导体二极管的阳极端子或者阴极端子的一部分，并且包围形成所述半导体二极管的相对端子的第二极性的第一扩散，

-第二极性的第二阱扩散，包围所述第一阱扩散并且进一步包围被设置在所述第一阱扩散外部的第二极性的第二扩散，以形成所述电流阻挡件，

-第一极性的第一扩散，被设置在所述第二阱扩散外部的半导体衬底中。

4.根据权利要求2所述的集成放大电路，其中所述第一支路的每个半导体二极管和所述第二支路的每个半导体二极管包括：

-第一极性的第一阱扩散，形成所述半导体二极管的阳极端子或者阴极端子的一部分，并且包围形成所述半导体二极管的相对端子的第二极性的第一扩散，

-第二极性的第二阱扩散，包围所述第一阱扩散，并且进一步包围被设置在所述第一阱扩散外部的第二极性的第二扩散，以形成所述电流阻挡件，

-第一极性的第一扩散，被设置在所述第二阱扩散外部的半导体衬底中。

5.根据权利要求3所述的集成放大电路，其中所述第一支路的每个半导体二极管或所述第二支路的每个半导体二极管包括第一极性的第二扩散，其被设置在第一极性的所述第一阱扩散内部。

6.根据权利要求2所述的集成放大电路，其中所述第一支路的每个半导体二极管包括：

-第一极性的第一阱扩散，形成所述半导体二极管的阳极端子或者阴极端子的一部分，并且包围形成所述半导体二极管的相对端子的第二极性的第一扩散，

-第二极性的第二阱扩散，包围所述第一阱扩散并且进一步包围被设置在所述第一阱扩散外部的第二极性的第二扩散，以形成所述电流阻挡件，

-所述第二阱扩散通过第二极性的所述第二扩散电连接至所述集成放大电路的预定电位，

-第一极性的第一扩散，被设置在所述第二阱扩散外部的半导体衬底中；以及

其中所述第二支路的每个半导体二极管包括：

-第二极性的第三阱扩散，被设置在所述半导体衬底中并且形成所述半导体二极管的阳极端子或者阴极端子的一部分，

所述第三阱扩散包围形成所述半导体二极管的相对端子的第一极性的第二扩散。

7.根据权利要求6所述的集成放大电路，其中第一极性的所述第一扩散被设置在第二极性的所述第二阱扩散和第二极性的所述第三阱扩散中间；并且第一极性的所述第一扩散电耦合至所述集成放大电路的第二预定电位。

8.根据权利要求2所述的集成放大电路，其中第一极性是p-型以及第二极性是n-型；或者

-第一极性是n-型以及第二极性是p-型。

9.根据权利要求2所述的集成放大电路，其中第二极性（F）的所述第二扩散从所述集成放大电路电解耦或者电连接至第三预定电位。

10.根据权利要求3所述的集成放大电路，其中第二极性（F）的所述第二扩散的掺杂高于第二极性的所述第二阱扩散的掺杂。

11.根据权利要求3所述的集成放大电路，其中第一极性（GND）的所述第二扩散通过电接触电耦合至所述集成放大电路的接地节点。