[发明专利]LED芯片及其制备方法无效
| 申请号： | 201310153799.3 | 申请日： | 2013-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103258928A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 于洪波;于婷婷;朱学亮;汪洋 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/38 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种LED芯片，包括：
第一类型外延层；
发光外延层，设置于所述第一类型外延层的一侧；
第二类型外延层，设置于所述发光外延层背离所述第一类型外延层的一侧；
沟槽，设置于所述第二类型外延层背离所述发光外延层的一侧，所述沟槽贯穿所述第二类型外延层以及发光外延层；
第一电极，与所述第一类型外延层电相连，用于向所述第一类型外延层提供电压；
第二电极，设置于所述第二类型外延层背离所述发光外延层的一侧，并覆盖所述沟槽。
2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第二类型外延层背离所述发光外延层的一侧还具有一透明导电层，所述透明导电层位于所述沟槽以外的所述发光外延层的表面。
3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第二电极和所述沟槽之间还具有一电流阻挡层。
4.如权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述电流阻挡层的横截面积大于所述沟槽的横截面积。
5.如权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述第二电极的横截面积大于所述电流阻挡层的横截面积。
6.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极位于所述第一类型外延层背离所述发光外延层的一侧或位于所述第一类型外延层面向所述发光外延层的一侧。
7.一种LED芯片的制备方法，包括：
提供第一类型外延层；
在所述第一类型外延层的一侧制备发光外延层；
在所述发光外延层背离所述第一类型外延层的一侧制备第二类型外延层；
选择性刻蚀所述第二类型外延层以及发光外延层，以在所述第二类型外延层背离所述发光外延层的一侧的表面形成沟槽，所述沟槽贯穿所述第二类型外延层以及发光外延层；
制备第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一类型外延层电相连，用于向所述第一类型外延层提供电压，所述第二电极设置于所述第二类型外延层背离所述发光外延层的一侧，并覆盖所述沟槽。
8.如权利要求7所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述第二类型外延层背离所述发光外延层的一侧制备一透明导电层，所述透明导电层位于所述沟槽内以及所述发光外延层的表面。
9.如权利要求7所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述第二电极和所述沟槽之间制备一电流阻挡层。
10.如权利要求9所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述电流阻挡层的横截面积大于所述沟槽的横截面积。
11.如权利要求9所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第二电极的横截面积大于所述电流阻挡层的横截面积。
12.如权利要求7所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述第一类型外延层背离所述发光外延层一侧或所述第一类型外延层面向所述发光外延层一侧制备所述第一电极。
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