[发明专利]一种反应腔室及等离子体加工设备有效
申请号: | 201310153865.7 | 申请日: | 2013-04-27 |
公开(公告)号: | CN104120410B | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
发明(设计)人: | 李强;贾士亮 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/509 | 分类号: | C23C16/509;C23C16/455 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 反应 等离子体 加工 设备 | ||
1.一种反应腔室,包括上电极板和固定装置,所述固定装置包括装置本体,所述装置本体采用闭合的环形结构,且套置在所述上电极板的外周壁上,并且所述装置本体与所述反应腔室的顶壁固定连接,以将所述上电极板固定在所述反应腔室内的顶部,其特征在于,所述反应腔室还包括保护气体源,并且在所述装置本体内形成有进气通道,所述进气通道的进气口与所述保护气体源连通,所述进气通道的出气口分布在暴露在所述反应腔室内的装置本体的下表面上,且与所述反应腔室的内部连通;
所述保护气体源用于在工艺时经由所述进气通道向所述反应腔室内提供保护气体,以使其在所述装置本体的下表面周围形成阻挡反应副产物的保护气层。
2.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述出气口均匀分布在所述装置本体的下表面上。
3.根据权利要求2所述的反应腔室,其特征在于,所述出气口的分布密度小于1个/立方厘米。
4.根据权利要求3所述的反应腔室,其特征在于,所述出气口的分布密度为0.2个/立方厘米。
5.根据权利要求1或2所述的反应腔室,其特征在于,每个所述出气口的直径小于5mm。
6.根据权利要求5所述的反应腔室,其特征在于,每个所述出气口的直径为1mm。
7.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述固定装置还包括两个环形挡板,所述两个环形挡板的上端均固定在所述装置本体的下表面上,且分别位于所述装置本体的下表面的内缘和外缘,用以阻挡自所述出气口流出的保护气体横向流动。
8.根据权利要求7所述的反应腔室,其特征在于,所述固定装置还包括过滤网,所述过滤网设置在所述装置本体的下方,且位于两个所述环形挡板之间,并且所述过滤网、两个环形挡板和装置本体的下表面形成封闭的空间。
9.根据权利要求8所述的反应腔室,其特征在于,所述固定装置还包括多个固定柱,每个所述固定柱的上端固定在所述装置本体的下表面上,且位于两个所述环形挡板之间的位置处,每个所述固定柱的下端与所述过滤网固定连接;
所述多个固定柱沿所述装置本体的周向间隔设置。
10.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述固定装置还包括匀流件,所述匀流件的上表面叠置在所述装置本体的下表面上,并且在所述匀流件的上表面上形成有凹部,所述凹部与所述装置本体的下表面形成匀流空间,且所有所述出气口均与所述匀流空间连通;并且
在所述凹部的底面上设置有多个贯穿其厚度的通孔。
11.根据权利要求10所述的反应腔室,其特征在于,所述匀流件采用螺纹连接或焊接的方式与所述装置本体固定连接。
12.根据权利要求10所述的反应腔室,其特征在于,多个所述通孔相对于所述凹部的底面均匀分布。
13.根据权利要求12所述的反应腔室,其特征在于,所述通孔的分布密度小于1个/立方厘米。
14.根据权利要求13所述的反应腔室,其特征在于,所述通孔的分布密度为0.2个/立方厘米。
15.根据权利要求12所述的反应腔室,其特征在于,每个所述通孔的直径小于5mm。
16.根据权利要求15所述的反应腔室,其特征在于,每个所述通孔的直径为1mm。
17.根据权利要求10所述的反应腔室,其特征在于,所述固定装置还包括两个环形挡板,所述两个环形挡板的上端均固定在所述匀流件的下表面上,且分别位于所述匀流件的下表面的内缘和外缘,用以阻挡自所述通孔流出的保护气体横向流动。
18.根据权利要求17所述的反应腔室,其特征在于,所述固定装置还包括过滤网,所述过滤网设置在所述匀流件的下方,且位于两个所述环形挡板之间,并且所述过滤网、两个环形挡板和匀流件的下表面形成封闭的空间。
19.根据权利要求18所述的反应腔室,其特征在于,所述固定装置还包括多个固定柱,每个所述固定柱的上端固定在所述匀流件的下表面上,且位于两个所述环形挡板之间的位置处,每个所述固定柱的下端与所述过滤网固定连接;
所述多个固定柱沿所述匀流件的周向间隔设置。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的