[发明专利]一种有机阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种有机阻变存储器，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物。

2.根据权利要求1所述有机阻变存储器，其特征是：所述有机阻变转换材料的厚度为5nm到500nm。

3.一种有机阻变存储器的制备方法，其特征是：包括如下步骤：

（1）合成聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物；

（2）清洗衬底并进行干燥处理；

（3）在衬底上制备金属条状下电极；

（4）将共混物涂覆在带下电极的衬底上，然后在80~135℃的环境中对有机膜进行固化反应处理；

（5）在有机阻变层上制备金属条状上电极，与下电极形成90度交叉，制得PMMA/PEI共混物有机阻变存储器。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征是：步骤（1）所述共混物的合成过程为：将PEI溶于三氯甲烷中，再将PEI溶液滴入MMA中，并搅拌均匀后，加入1wt%的引发剂BPO（过氧化苯甲酰）或者AIBN（偶氮二异丁腈），升温至75~85℃搅拌3小时，然后升温至125℃搅拌30分钟获得PMMA预聚物与PEI的共混溶液，加入三氯甲烷进行稀释，合成出分子水平共混物。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征是：步骤（2）所述的衬底包括玻璃、高阻硅片、PET（聚对苯二甲酸乙二酯）、PC（聚碳酸酯）、PS（聚苯乙烯），用有机溶剂进行清洗，并热风烘干。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征是：步骤（3）和（5）所述的条状下电极和上电极包括金属Al、Ag、Au、Cu、Ni、Ti、NiTi、AuTi和Pt，金属电极的制备采用蒸镀工艺。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征是：步骤（4）所述的涂覆方法，是将共混物通过旋转涂覆方式均匀涂覆在带下电极的衬底上，然后将有机膜放在80~135℃的环境中进行固化反应处理。