[发明专利]直流低压电源四推挽注锁发光二极管LED阵列灯

权利要求书

1.一种直流低压电源四推挽注锁发光二极管LED阵列灯，包括直流低压电源、发光二极管LED阵列灯，其特征在于：还包括基准晶振、分频器、四个型号为IR2156的自振荡芯片A、自振荡芯片B、自振荡芯片C、自振荡芯片D、推挽逆变器A′、推挽逆变器B′、推挽逆变器C′、推挽逆变器D′、相加耦合器TB₁、相加耦合器TB₂、相加耦合器TB₃、灯管电路、灯管异常电流检测器；

其中，基准晶振由石英晶体谐振器、六个反相器及电阻、电容组成，第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻，第一个反相器输入与输出两端分别连接电容C₁、C₂的一端，电容C₁、C₂的另一端接地，同时，第一个反相器输入与输出两端还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器；第二个反相器输入端连接基准晶振信号，第二个反相器输出端连接分频器的输入端，分频器的输出端连接四个反相器的输入端，四个反相器输出分别连接四个自振荡芯片C_T端注入基准晶振信号锁定相位，自振荡芯片内含振荡器、推挽逆变驱动电路、灯故障关闭控制器SD，自振荡芯片RT端连接电阻R₂，自振荡芯片CT端连接电容C₄产生振荡频率；未注入基准信号自振荡芯片RC振荡器产生自由振荡频率，注入基准信号RC振荡电压与其矢量合成，通过自振荡芯片非线性变频锁定相位，振荡信号与注入基准信号仅有一个固定的相位差；

自振荡芯片A内部的推挽逆变驱动电路输出驱动由两个大功率MOS场效应管构成推挽逆变器A′，自振荡芯片B内部的推挽逆变驱动电路输出驱动由两个大功率MOS场效应管构成推挽逆变器B′，自振荡芯片C内部的推挽逆变驱动电路输出驱动由两个大功率MOS场效应管构成推挽逆变器C′，自振荡芯片D内部的推挽逆变驱动电路输出驱动由两个大功率MOS场效应管构成推挽逆变器D′；

推挽逆变器A′输出端连接输出功率变压器T₁初级线圈T₁L₁、推挽逆变器B′输出端连接输出功率变压器T₂初级线圈T₂L₁；输出功率变压器T₁次级线圈T₁L₂和输出功率变压器T₂次级线圈T₂L₂串联端子连接电阻R₁₀一端并接地，电阻R₁₀另一端连接相加耦合器TB₁初级线圈TB₁L₁的中心抽头，相加耦合器TB₁初级线圈TB₁L₁的另外两个端子分别连接输出功率变压器T₁次级线圈T₁L₂的另一端和输出功率变压器T₂次级线圈T₂L₂的另一端；推挽逆变器C′输出端连接输出功率变压器T₃初级线圈T₃L₁、推挽逆变器D′输出端连接输出功率变压器T₄初级线圈T₄L₁；输出功率变压器T₃次级线圈T₃L₂和输出功率变压器T₄次级线圈T₄L₂串联端子连接电阻R₁₁一端并接地，电阻R₁₁另一端连接相加耦合器TB₂初级线圈TB₂L₁的中心抽头，相加耦合器TB₂初级线圈TB₂L₁的另外两个端子分别连接输出功率变压器T₃次级线圈T₃L₂的另一端和输出功率变压器T₄次级线圈T₄L₂的另一端；相加耦合器TB₁次级线圈TB₁L₂和相加耦合器TB₂次级线圈TB₂L₂串联端子连接电阻R₁₂一端并接地，电阻R₁₂另一端连接相加耦合器TB₃初级线圈TB₃L₁的中心抽头，相加耦合器TB₃初级线圈TB₃L₁的另外两个端子分别连接相加耦合器TB₁次级线圈TB1L₂的另一端和相加耦合器TB₂次级线圈TB2L₂另一端；

全波整流电路由功率MOS场效应管Q₄、Q₅组成，功率MOS场效应管Q₄源极接相加合耦器TB₃电感TB₃L₂的一端，功率MOS场效应管Q₅源极接相加合耦器TB₃电感TB₃L₂的另一端，偏置分压电阻R₁₅和电阻R₁₆串联点连接功率MOS场效应管Q₅栅极，偏置分压电阻R₁₃和电阻R₁₄串联点连接功率MOS场效应管Q₄栅极，电阻R₁₄和电阻R₁₆另一端连接功率MOS场效应管Q₄、Q₅漏极，分压电阻R₁₅另一端连接功率MOS场效应管Q₄源极，分压电阻R₁₃另一端连接功率MOS场效应管Q₅源极，功率MOS场效应管Q₄、Q₅漏极并接作为全波整流输出端，功率MOS场效应管Q₄、Q₅漏极源极之间分别并联整流二极管VD₁、VD₂，漏极连接整流二极管阴极，源极连接整流二极管阳极；相加耦合器TB₃次级电感TB₃L₂中心点穿过灯电流检测互感磁环接地，灯电流检测互感磁环电感LS₁一端接二极管VD₃阳极，灯电流检测互感磁环电感LS₁另一端接地，二极管VD₃阴极连接电容C₈、电阻R₁₇的一端，电容C₈、电阻R₁₇的另一端接地，二极管VD₃阴极还连接电阻R₈的一端，电阻R₈另一端和电阻R₉一端的接点连接场效应管Q₃栅极，电阻R₉一另端和场效应管Q₃源极接地，场效应管Q₃漏极连接到触发四个自振荡芯片灯故障保护控制端SD；

全波整流电路输出端连接到灯管电路发光二极管LED阵列灯，灯管异常电流检测器信号接入四个自振荡芯片SD端，使自振荡芯片快速停振并关断推挽逆变器功率MOS场效应管，直流低压电源低压连接基准晶振、分频器电源端，直流低压电源高压接入四个自振荡芯片、四个推挽逆变器的电源端。