[发明专利]具有硅穿孔的半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201310156181.2 | 申请日： | 2013-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN104124219A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 黄昭元;何岳风;杨名声;陈辉煌 | 申请（专利权）人： | 艾芬维顾问股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 穿孔 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种具有硅穿孔的半导体装置，包含：
基板，具有前侧与背侧;及
硅穿孔，贯穿该基板且在该前侧具有圆形且在该背侧具有圆角化的矩形。
2.如权利要求1所述的具有硅穿孔之半导体装置，更包含：
在该前侧上的装置/内联机层。
3.如权利要求1所述的具有硅穿孔之半导体装置，其特征在于，该圆角化的矩形的长边长度大于该圆形的直径。
4.如权利要求1所述的具有硅穿孔的半导体装置，其特征在于，该圆角化的矩形的长边长度至少为该圆形的直径的1.2倍。
5.如权利要求1所述的具有硅穿孔的半导体装置，更包含：
在该背侧上的背侧重分布联机(RDL)。
6.如权利要求5所述的具有硅穿孔的半导体装置，其特征在于，该圆角化的矩形的长边系平行于该背侧重分布联机(RDL)的长度方向。
7.如权利要求1所述的具有硅穿孔的半导体装置，其特征在于，该基板是用以作为一硅中介层。
8.一种半导体装置的制造方法，包含：
提供具有第一侧与第二侧的基板;
自该第一侧于该基板中形成一通孔;
在该通孔的侧壁上形成保护层但裸露该通孔的底部;
扩大该通孔的底部并修改其形状;
在该通孔的低部与侧壁上形成介电层;
形成填充该通孔的导电材料;及
自该第二侧移除该基板的一部分以裸露该导电材料并完成一硅穿孔。
9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该硅穿孔在第一侧具有圆形形状且在该第二侧具有圆角化的矩形形状。
10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该圆形具有等于或大于1μm的直径且该圆角化矩形的长边长度系等于或大于1.2μm。
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