[发明专利]调整具有停留时间限制的工艺阶段产能的方法及系统有效
申请号: | 201310156474.0 | 申请日: | 2013-04-28 |
公开(公告)号: | CN103227128A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 朱陆君;倪棋梁;龙吟;陈宏璘;王洲男 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 陆花 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 调整 具有 停留 时间 限制 工艺 阶段 产能 方法 系统 | ||
1.一种调整具有停留时间限制的工艺阶段产能的方法,其特征在于,包括:获得具有停留时间限制的当前工艺阶段,获得当前工艺阶段的规定停留时间、产能、当前等待生产的产品数目;
基于所述当前工艺阶段的规定停留时间、产能、当前等待生产的产品数目,获得当前工艺阶段的最大停留时间;
若所述最大停留时间大于规定停留时间,则减小前一工艺阶段的产能,反之,预计增大前一工艺阶段的产能之后的当前工艺阶段的预计最大停留时间,若所述预计最大停留时间小于等于规定停留时间,则增大前一工艺阶段产能,反之,则维持前一工艺阶段的产能。
2.如权利要求1所述的调整具有停留时间限制的工艺阶段产能的方法,其特征在于,所述当前工艺阶段为铜金属层工艺阶段,所述前一工艺阶段为铜阻挡层工艺阶段。
3.如权利要求1所述的调整具有停留时间限制的工艺阶段产能的方法,其特征在于,所述当前工艺阶段为铜化学机械研磨工艺阶段,所述前一工艺阶段为铜金属层工艺阶段。
4.如权利要求1所述的调整具有停留时间限制的工艺阶段产能的方法,其特征在于,所述当前工艺阶段为化学气相沉积工艺阶段,所述前一工艺阶段为铜化学机械研磨工艺阶段。
5.一种调整具有停留时间限制的工艺阶段产能的系统,其特征在于,包括:当前工艺阶段的最大停留时间分析子系统,用于获得当前工艺阶段的规定停留时间、产能、当前等待生产的产品数目,用于获得当前工艺阶段的最大停留时间;
自动产能监控分析子系统,基于所述最大停留时间与所述规定停留时间进行比较,当所述最大停留时间大于规定时间,则产生减小前一工艺阶段的产能的指令;当所述最大停留时间小于等于规定时间,则预计增大前一工艺阶段产能之后当前工艺阶段的预计最大停留时间,若所述最大预计停留时间小于等于规定停留时间,则产生增大前一工艺阶段产能的指令,反之,则产生维持前一工艺阶段的产能的指令;
产能调整子系统,用于基于所述自动产能监控分析子系统产生的指令对所述前一工艺阶段的产能进行调整。
6.如权利要求5所述的调整具有停留时间限制的工艺阶段产能的系统,其特征在于,所述当前工艺阶段为铜金属层工艺阶段,所述前一工艺阶段为铜阻挡层工艺阶段。
7.如权利要求5所述的调整具有停留时间限制的工艺阶段产能的系统,其特征在于,所述当前工艺阶段为铜化学机械研磨工艺阶段,所述前一工艺阶段为铜金属层工艺阶段。
8.如权利要求5所述的调整具有停留时间限制的工艺阶段产能的系统,其特征在于,所述当前工艺阶段为化学气相沉积工艺阶段,所述前一工艺阶段为铜化学机械研磨工艺阶段。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310156474.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:插入部形状显示装置
- 下一篇:电脑桌键盘托板联动升降机构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造