[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、不掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层和p型层，其特征在于，所述外延片还包括设于所述n型层与所述多量子阱层之间的电流扩展层，所述电流扩展层为超晶格结构，所述超晶格结构由第一子层和第二子层交替层叠而成，所述第一子层和所述第二子层由Al_xGa_1-xN制成，相邻的所述第一子层和所述第二子层中的Al的组分含量不同，其中，0<x＜1。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，各个所述第一子层中的Al的组分含量相同，各个所述第二子层的Al的组分含量也相同。

3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，各个所述第一子层的Al的组分含量不同，各个所述第二子层的Al的组分含量相同。

4.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，各个所述第一子层的Al的组分含量不同，各个所述第二子层的Al的组分含量不同。

5.根据权利要求1～4任一项所述的外延片，其特征在于，所述电流扩展层中各层的所述Al的最高组分含量为20%～60%。

6.根据权利要求1-4任一项所述的外延片，其特征在于，所述第一子层的厚度为1～10nm，所述第二子层的厚度为1～10nm。

7.根据权利要求1-4任一项所述的外延片，其特征在于，所述第一子层的厚度和所述第二子层的厚度相同。

8.一种发光二极管的外延片的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底，并依次在所述衬底上生长缓冲层、不掺杂的GaN层和n型层；

在所述n型层上生长电流扩展层，所述电流扩展层为超晶格结构，所述超晶格结构由第一子层和第二子层交替层叠而成，所述第一子层和所述第二子层由Al_xGa_1-xN制成，相邻的所述第一子层和所述第二子层中的Al的组分含量不同，其中，0<x＜1；

在所述电流扩展层上依次生长多量子阱层和p型层。