[发明专利]半导体芯片的版图图层设计方法及其掩膜板无效
申请号: | 201310156848.9 | 申请日: | 2013-04-28 |
公开(公告)号: | CN103246153A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 张亮;毛智彪;曹永峰;俞柳江;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 陆花 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 版图 设计 方法 及其 掩膜板 | ||
1.一种半导体芯片的版图图层设计方法,其特征在于,包括:
按照OPC的能力给出图层分类的标准和规则;
确定子图层的层数;
将需要进行相同OPC修正精度的版图置于同一子图层中,使整个版图分布在不同精度的子图层中,并进行相应精度的光学临近修正计算;
将处理完成的多个所述子图层整合形成所需版图的光掩膜数据。
2.如权利要求1所述的半导体芯片的版图图层设计方法,其特征在于,将需要严格控制形状和形貌的结构版图置于最高精度的子图层。
3.如权利要求2所述的半导体芯片的版图图层设计方法,其特征在于,所述需要严格控制形状和形貌的结构版图包括测试图形以及功能图形。
4.如权利要求1所述的半导体芯片的版图图层设计方法,其特征在于,所述子图层的数量为2~20个。
5.一种利用权利要求1所述的半导体芯片版图图层设计方法的掩膜板,其特征在于,所述掩膜板上的图形由多个不同精度的子图层经过相应精度的光学临近修正计算后整合而成。
6.如权利要求5所述的半导体芯片版图图层设计方法的掩膜板,其特征在于,所述子图层的数量为2~20个。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备