[发明专利]用于BSI图像传感器的表面处理

权利要求书

1.一种装置，包括：

邻近半导体衬底的第一面形成的图像传感器，其中：

第一介电层形成在所述半导体衬底的第一面的上方；和

互连层形成在所述第一介电层上方；

在所述半导体衬底的第二面上方形成的背照膜；以及

在所述半导体衬底的第二面和所述背照膜之间形成的第一硅卤素化合物层。

2.根据权利要求1所述的装置，还包括：

在所述半导体衬底的第一面和所述第一介电层之间形成的第二硅卤素化合物层。

3.根据权利要求2所述的装置，其中：

所述第二硅卤素化合物层包含氟。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述背照膜包括：

在所述半导体衬底的第二面上形成的抗反射涂料层；和

在所述抗反射涂料层上形成的介电层。

5.根据权利要求1所述的装置，还包括：

在所述半导体衬底中生长的外延层；

嵌入所述外延层中的所述图像传感器；和

嵌入所述外延层中的隔离区，其中所述图像传感器被所述隔离区包围。

6.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述第一硅卤素化合物层包含氟。

7.根据权利要求6所述的装置，其中：

氟的百分比在约0.15％至约0.5％的范围内。

8.一种方法，包括：

邻近衬底的第一面形成图像传感器；

减薄所述衬底的第二面；

对所述衬底的第二面实施卤素处理；以及

在所述衬底的第二面上形成背照层。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在所述衬底的第二面上沉积抗反射涂料层，以及

在所述抗反射涂料层上沉积介电层；或者

在所述背照层上方形成金属层，以及

图案化所述金属层以形成金属屏蔽层和多个栅格；或者

在所述衬底上生长外延层，以及

在所述外延层中注入离子以形成所述图像传感器；或者

在所述外延层中形成隔离区，其中所述隔离区包围所述图像传感器；或者

减薄所述衬底直到所述衬底的厚度在约3μm至约4μm的范围内。

10.一种器件，包括：

光电二极管的阵列，每个所述光电二极管都邻近半导体衬底的第一面形成；

多个隔离区，每个所述隔离区都形成在两个相邻的光电二极管之间；

在所述半导体衬底的第二面的顶表面上方形成的第一硅卤素化合物层；

在所述第一硅卤素化合物层上形成的抗反射涂料层；以及

在所述抗反射涂料层上形成的介电层。