[发明专利]鳍式双极结型晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成掺杂有杂质的鳍部，作为第一区；

在所述第一区上形成基区；

在所述基区上或基区内形成第二区，所述第一区为集电区、第二区为发射区或者所述第一区为发射区、第二区为集电区。

2.如权利要求1所述的鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，在所述第一区上形成基区包括：

在所述第一区上形成图形化的掩膜层，定义出基区的形成位置；

以所述图形化的掩膜层为掩膜，使用外延沉积法、化学气相沉积法或物理气相沉积法在所述第一区上形成基区材料层；

在形成所述基区材料层期间进行原位掺杂，或在形成所述基区材料层后，对所述基区材料层进行掺杂，形成基区。

3.如权利要求1所述的鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，在所述基区上形成第二区包括：

在所述基区上形成图形化的掩膜层，定义出第二区的形成位置；

以所述图形化的掩膜层为掩膜，使用外延沉积法、化学气相沉积法或物理气相沉积法在所述基区上形成第二区材料层；

在形成所述第二区材料层期间进行原位掺杂，或在形成所述第二区材料层后，对所述第二区材料层进行掺杂，形成第二区。

4.如权利要求1所述的鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，在所述基区内形成第二区包括：

在所述基区上形成图形化的掩膜层，定义出第二区的形成位置；

以所述图形化的掩膜层为掩膜，使用离子注入法或热扩散法在所述基区内形成第二区。

5.如权利要求1所述的鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成掺杂有杂质的鳍部的方法为：

使用图形化基底的方法形成鳍部；

在形成所述鳍部后，对所述鳍部进行掺杂。

6.如权利要求1所述的鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成掺杂有杂质的鳍部的方法为：

采用外延生长形成鳍部，在形成所述鳍部期间进行原位掺杂；或在形成所述鳍部后，对所述鳍部进行掺杂。

7.如权利要求1所述的鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，所述鳍式双极结型晶体管为PNP型晶体管，所述基区的材料为SiC，基区掺杂的杂质为n型杂质，所述第一区和第二区的材料为SiGe，所述第一区和第二区掺杂的杂质为p型杂质；

或者，所述鳍式双极结型晶体管为NPN型晶体管，所述基区的材料为SiGe，所述基区掺杂的杂质为p型杂质，所述第一区和第二区的材料SiC，所述第一区和第二区掺杂的杂质为n型杂质。

8.如权利要求7所述的鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，所述n型杂质为磷或砷，所述p型杂质为硼或镓。

9.如权利要求1所述的鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，所述基区的长度小于第一区的长度，所述第二区的长度小于所述基区的长度。

10.如权利要求1所述的鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第一区、第二区和基区上形成接触电极。

11.如权利要求10所述的鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，所述接触电极的材料为W。

12.一种鳍式双极结型晶体管，其特征在于，包括：

基底；

位于基底上掺杂有杂质的鳍部，所述鳍部为第一区；

位于所述第一区上基区；

位于所述基区上或基区内的第二区，所述第一区为发射区、第二区为集电区或者第一区为集电区、第二区为发射区。

13.如权利要求12所述的鳍式双极结型晶体管，其特征在于，所述鳍式双极结型晶体管为PNP型晶体管，所述基区的材料为SiC，所述基区掺杂的杂质为n型杂质，所述第一区和第二区的材料为SiGe，所述第一区和第二区掺杂的杂质为p型杂质；

或者，所述鳍式双极结型晶体管为NPN型晶体管，所述基区的材料为SiGe，所述基区掺杂的杂质为p型杂质，所述第一区和第二区的材料SiC，所述第一区和第二区掺杂的杂质为n型杂质。

14.如权利要求13所述的鳍式双极结型晶体管，其特征在于，所述n型杂质为磷或砷，所述p型杂质为硼或镓。