[发明专利]一种检测线路结构及其制造方法、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201310157104.9 | 申请日: | 2013-04-28 |
公开(公告)号: | CN104122682B | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 方业周;任健;王振伟 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13;G09G3/00;G09G3/36 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人: | 张颖玲,王黎延 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 检测 线路 结构 及其 制造 方法 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及阵列基板技术,尤其涉及一种检测线路结构及制造方法、显示面板和显示装置。
背景技术
为了降低成本,现有液晶显示行业多采用阵列基板栅驱动(Gate Drive on Array,GOA)技术,而且,在整个GOA技术中,要经过阵列基板检测(Array test,AT)、对盒工艺检测(cell test,CT)、电学检测(Electrical test,ET)以及终检(FOG)等各种检测,因此在现有技术中存在许多检测线路结构;在阵列基板到FOG完成过程中,检测电路可能产生各种断路等问题,如AT区域之间、或者电学检测区域之间的静电环产生短路(如静电释放(ESD)造成);由于集成电路(IC)区域与AT区域、电学检测区域连接,因此,检测线路的短路会造成显示屏故障。
现有技术,如图1所示,电学检测区域5通过导电区域2分别与AT区域1、IC区域7连接,而且电学检测区域5还与GOA区域9连接,在上述连接关系中,一旦AT区域1之间、或者电学检测区域5之间的静电环6产生短路(如ESD造成),会导致IC区域7短路、IC信号发生短路,进而导致GOA无法正常工作;而且,由于电学检测区域5、AT区域1、IC区域7三者相互连接,排查短路点困难,导致该不良不能修复、进而导致显示屏故障。
发明内容
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种检测线路结构及制造方法、显示面板和显示装置,能避免因AT区域、电学检测区域短路而导致的显示屏故障。
为达到上述目的,本发明的技术方案是这样实现的:
本发明提供了一种检测线路结构,包括阵列基板检测区域、电学检测区域、将阵列基板检测区域与电学检测区域相连接的导电区域、集成电路区域以及阵列基板栅驱动区域;其中,所述检测线路结构还包括薄膜晶体管区域;所述电学检测区域通过所述薄膜晶体管区域与阵列基板栅驱动区域连接;所述集成电路区域直接与所述阵列基板栅驱动区域连接。
进一步的,所述薄膜晶体管区域包括与阵列基板栅驱动区域中的多条测试引线相对应连接的多个薄膜晶体管;所述电学检测区域包括与阵列基板栅驱动区域中的多条测试引线相对应的多个阵列基板栅驱动电学检测区域、以及用于控制各所述薄膜晶体管导通和截止的薄膜晶体管区域控制区域;
进一步的,所述集成电路区域直接与所述阵列基板栅驱动区域连接包括:所述集成电路区域通过过孔和导体与所述阵列基板栅驱动区域连接;
进一步的,所述阵列基板检测区域还包括用于连接薄膜晶体管区域控制区域的引线;
进一步的,所述导电区域通过其自身区域中的第一过孔区域与阵列基板检测区域连接,且通过其自身区域中的第二过孔区域与所述电学检测区域连接;
进一步的,各所述电学检测区域之间形成有静电环。
本发明还提供了一种显示面板,其中,所述显示面板包括以上所述的任一检测线路结构。
本发明还提供了一种显示装置,其中,所述显示装置包括以上所述的显示面板。
本发明又提供了一种检测线路结构的制造方法,包括:
在基板上形成阵列基板检测区域、电学检测区域、集成电路区域以及阵列基板栅驱动区域;其中,所述集成电路区域直接与所述阵列基板栅驱动区域连接,所述电学检测区域与所述阵列基板检测区域以及所述阵列基板栅驱动区域三者相互电隔离;
在已形成有所述阵列基板检测区域、电学检测区域、集成电路区域以及阵列基板栅驱动区域的基板上形成绝缘层;
在已形成有所述阵列基板检测区域、电学检测区域、集成电路区域、阵列基板栅驱动区域以及绝缘层的基板上形成半导体有源层图案,所述半导体有源层图案用于连接所述阵列基板栅驱动区域中的测试引线和与所述测试引线对应的所述电学检测区域;并在各所述电学检测区域之间形成静电环;
形成钝化层,并在所述钝化层上形成过孔;以及形成导电层,所述导电层将所述阵列基板检测区域与所述电学检测区域连接、将所述电学检测区域与对应的半导体有源层图案连接,将所述半导体有源层图案与对应的阵列基板栅驱动区域的引线连接。
进一步的,所述半导体有源层图案用于构造与阵列基板栅驱动区域中的多条测试引线相对应的多个薄膜晶体管;所述电学检测区域包括与阵列基板栅驱动区域中的多条测试引线相对应的多个阵列基板栅驱动电学检测区域、以及用于控制各所述薄膜晶体管导通和截止的薄膜晶体管区域控制区域;所述阵列基板检测区域还包括用于连接薄膜晶体管区域控制区域的引线。
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