[发明专利]单层无芯基板

权利要求书

1.一种电子芯片封装，包括与插件的布线层接合的至少一个芯片，所述插件包括布线层和通孔柱层，其中所述通孔柱层包括嵌入在第一介电材料层中的通孔柱，所述第一介电材料层包括在聚合物树脂中的玻璃纤维，并且所述芯片和所述布线层嵌入在第二介电材料层中，所述第二介电材料层包覆所述芯片和所述布线层，使得：

1)所述插件的底面包括被包围或嵌入在所述第一介电材料层中的所述通孔柱的铜端部，使得所述通孔柱的铜端部与所述第一介电材料层齐平；或

2)所述插件的底面包括被包围或嵌入在所述第一介电材料层中的所述通孔柱的铜端部，使得所述通孔柱的铜端部相对于所述第一介电材料层凹陷至多5微米。

2.如权利要求1所述的电子芯片封装，还包括在所述通孔柱层的与所述布线层相反侧上的金属牺牲基底。

3.如权利要求1所述的电子芯片封装，其中所述通孔柱层中的至少一个通孔柱具有非圆柱形状，其特征在于所述至少一个通孔柱的X-Y平面内的长尺寸是X-Y平面内的短尺寸的至少3倍长度。

4.如权利要求1所述的电子芯片封装，其中所述通孔层还包括铜通孔柱和覆盖远离所述布线层的所述通孔柱的端部的阻挡金属层，使得所述插件的底面包括通孔柱端部，所述通孔柱端部包括被所述第一介电材料层包围的阻挡金属层，使得所述通孔柱的端部的阻挡金属层与所述第一介电材料层齐平。

5.如权利要求4所述的电子芯片封装，其中所述阻挡金属层选自镍、金、锡、铅、钯、银及其组合。

6.如权利要求5所述的电子芯片封装，其中所述阻挡金属层具有1微米至10微米范围的厚度。

7.如权利要求1所述的电子芯片封装，其中所述至少一个芯片设置为倒装芯片，其通过凸点阵列接合至所述布线层。

8.如权利要求7所述的电子芯片封装，其中所述第二介电材料层是玻璃纤维增强聚合物。

9.如权利要求7所述的电子芯片封装，其中所述至少一个芯片通过引线接合与所述布线层接合，并且所述第二介电材料层是模塑料。

10.如权利要求1所述的电子芯片封装，其中包围所述通孔柱的所述第一介电材料层包括第一聚合物树脂，并且包围所述布线层和所述至少一个芯片的所述第二介电材料层包括第二聚合物树脂，其中所述第一聚合物树脂不同于所述第二聚合物树脂。

11.如权利要求1所述的电子芯片封装，其中包围所述通孔柱的所述第一介电材料层包括无机填料。

12.如权利要求1所述的电子芯片封装，其中包围所述通孔柱的所述第一介电材料层的聚合物树脂选自聚酰亚胺、环氧树脂、双马来酰亚胺/三嗪树脂、聚苯醚及其共混物。

13.一种制造电子芯片封装的方法，包括以下步骤：

(a)选择牺牲基板；

(b)在所述牺牲基板上沉积蚀刻阻挡层；

(c)镀覆通孔柱层；

(d)用第一介电材料层压所述通孔柱层；

(e)减薄和平坦化该第一介电材料层；

(f)在所述通孔层上镀覆布线特征层；

(g)连接至少一个芯片；

(h)用第二介电材料包覆所述至少一个芯片和布线特征结构；

(i)移除所述牺牲基板，和

(j)移除所述蚀刻阻挡层。

14.如权利要求13所述的方法，其中步骤(g)包括将所述至少一个芯片引线接合至所述布线特征结构，并且步骤(h)包括用模塑料包覆。

15.如权利要求13所述的方法，其中步骤(g)包括将所述至少一个芯片利用凸点阵列倒装芯片接合至所述布线特征结构。

16.如权利要求15所述的方法，其中步骤(h)包括用玻璃纤维聚合物预浸料进行包覆。

17.如权利要求13所述的方法，其中所述牺牲基板包括可剥离铜基板、离型层和超薄铜箔，并且移除所述牺牲基板的步骤(i)包括剥除所述可剥离铜基板并蚀刻掉剩余的铜箔。

18.如权利要求13所述的方法，还包括步骤(k)：通过移除所述蚀刻阻挡层以暴露出堆叠体外表面上的通孔端部并对所述通孔端部施加端子来端接所述基板。