[发明专利]采用柔性纸基的可擦写薄膜阻变存储单元及其制备方法

权利要求书

1. 一种采用柔性纸基的可擦写薄膜阻变存储器存储单元，其特征在于以柔性可弯折的油墨彩印纸为基板，氧化锡SnO_x(0<x≤2) 薄膜作为阻变层，氧化钼MoO_x(1.5<x<3)薄膜作为氧存储层，具体结构组成依次为：油墨彩印纸基板，作为底电极的金属镍薄膜，氧化锡阻变薄膜，氧化钼薄膜，作为顶电极的金属钼薄膜。

2. 一种如权利要求1所述的薄膜阻变存储器存储单元的制备方法，其特征在于以柔性可弯折的油墨彩印纸为基板，采用磁控溅射技术依次沉积各层薄膜，具体步骤如下：

（1）采用金属Ni靶，以Ar气作为工作气体，工作压强为2.0×10^-1 Pa，在油墨彩印纸基板上溅射形成金属Ni薄膜；其中，溅射电流为150 ~ 200 mA，溅射电压为450 ~ 550 V，溅射时间15 ~ 30分钟；

（2）制备氧化锡阻变薄膜，其步骤是：使用金属锡靶材，加热经过步骤（1）处理的基板，温度至50 ~ 150℃；将O₂和Ar气体通入反应室，控制O₂反应气体的分压为7×10^-2 Pa ~ 1.5×10^-1 Pa，工作压强为3.0 ~ 6.0×10^-1 Pa，溅射形成氧化锡阻变薄膜；其中，溅射电流为50 ~ 200 mA，溅射电压为300 ~ 500 V，溅射时间为10 ~ 30分钟，该薄膜厚度为100 ~ 250 nm；

（3）制备氧化钼薄膜，其步骤是：使用金属钼靶材，加热经过步骤（1）、（2）处理的基板，温度至50 ~ 150℃，将O₂和Ar气体通入反应室，控制O₂反应气体的分压为5×10^-2 Pa ~ 1.5×10^-1 Pa，工作压强为3.0 ~ 6.0×10^-1 Pa，溅射形成氧化钼薄膜；其中，溅射电流为50 ~ 200 mA，溅射电压为300 ~ 550 V，溅射时间为5 ~ 20分钟；该薄膜厚度为40~ 150 nm；

（4）最后通过掩膜板利用直流磁控溅射方法制备钼顶电极，其步骤是：通过尺寸为200μm×200μm的掩膜的方法制备厚度为100 ~200 nm的钼顶电极，溅射电流为150 ~ 250 mA，溅射电压为300~400 V，溅射时间20 ~40分钟。