[发明专利]通过在应力衬垫方案中实作额外的清洗工序所增加的晶体管效能

权利要求书

1.一种方法，包括：

从晶体管的栅极电极结构的侧壁间隔件结构去除材料，且该侧壁间隔件结构包括金属硅化物；

在去除该侧壁间隔件结构的该材料之后，执行湿式化学清洗工序；以及

在执行该湿式化学清洗工序后，形成应力引发层在该晶体管上。

2.如权利要求1所述的方法，其中，从该侧壁间隔件结构去除该材料包括执行等离子体辅助蚀刻工序。

3.如权利要求1所述的方法，其中，执行该湿式化学清洗工序包括施加金属去除媒介。

4.如权利要求3所述的方法，其中，该金属去除媒介包括硫酸、过氧化氢、臭氧和王水中的至少一种。

5.如权利要求1所述的方法，还包括去除第二晶体管的第二侧壁间隔件结构的材料，及在去除该第二晶体管的该第二侧壁间隔件结构的该材料后，在该第二侧壁间隔件结构的存在下执行该湿式化学清洗工序，其中该晶体管和该第二晶体管为不同的导电类型。

6.如权利要求5所述的方法，还包括形成第二应力引发层在该第二晶体管上，其中该应力引发层和该第二应力引发层包含不同的应力类型。

7.如权利要求6所述的方法，还包括在形成该第二应力引发层之前，形成该应力引发层在该晶体管和该第二晶体管上，以及从第二晶体管上去除该应力引发层。

8.如权利要求1所述的方法，还包括在去除该侧壁间隔件结构的该材料之前，通过使用该侧壁间隔件结构作为掩膜，以在该栅极电极结构及该晶体管的漏极区域和源极区域中形成金属硅化物。

9.如权利要求1所述的方法，其中，该栅极电极结构包括栅极绝缘层，该栅极绝缘层包含高介电常数介电材料。

10.如权利要求1所述的方法，其中，该栅极电极结构的长度为50纳米或更少。

11.一种方法，包括：

通过使用栅极电极结构的侧壁间隔件结构作为掩膜，以在晶体管的漏极区域、源极区域、和该栅极电极结构中形成金属硅化物；

通过执行等离子体辅助蚀刻工序减少该侧壁间隔件结构的尺寸；

从包括减少尺寸的该侧壁间隔件结构的该晶体管去除金属基污染物；以及

在该晶体管上形成应力引发层。

12.如权利要求11所述的方法，其中，去除该金属基污染物包括执行湿式化学清洗工序。

13.如权利要求12所述的方法，其中，该湿式化学清洗工序通过使用硫酸/过氧化氢混合物、硫酸/臭氧混合物、和王水中的至少一个而执行。

14.如权利要求11所述的方法，还包括通过使用高介电常数介电材料形成该栅极电极结构。

15.如权利要求11所述的方法，还包括在该第二晶体管的第二漏极区域、第二源极区域、和第二栅极电极结构中形成金属硅化物，及减少该第二晶体管的该第二栅极电极结构的侧壁间隔件结构的尺寸，其中该晶体管和该第二晶体管是不同的导电类型。

16.如权利要求15所述的方法，其中，该第一侧壁间隔件结构和该第二侧壁间隔件结构的尺寸共同在该等离子体辅助蚀刻工序中减少。

17.如权利要求15所述的方法，还包括在该第二晶体管上选择性地形成第二应力引发层，其中，该应力引发层和该第二应力引发层包含不同应力的类型。

18.如权利要求17所述的方法，包括在该晶体管和该第二晶体管上形成该应力引发层，及在形成该第二应力引发层之前，从该第二晶体管上选择性地去除该应力引发层。

19.一种方法，包括：

执行第一去除工序以利于从第一晶体管的第一栅极电极结构的第一侧壁间隔件结构，及从第二晶体管的第二栅极电极结构的第二侧壁间隔件结构去除材料，且该第一晶体管和第二晶体管是不同的导电类型；

在该第一去除工序之后执行第二去除工序，以利于减少在该第一晶体管和该第二晶体管的表面区域上的金属基成分的量；

形成第一应力引发层在该第一晶体管上；以及

形成第二应力引发层在该第二晶体管上，该第一应力引发层和该第二应力引发层产生不同应力的类型。

20.如权利要求19所述的方法，其中，执行该第一去除工序和该第二去除工序包括执行等离子体辅助蚀刻工序以作为该第一去除工序，及执行湿式化学清洗工序以作为去除蚀刻工序。