[发明专利]半导体晶片清洗方法在审
| 申请号： | 201310157819.4 | 申请日： | 2013-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN104124136A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 陈灵 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/02;B08B3/04 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 清洗 方法 | ||
1.半导体晶片清洗方法，用于清洗附着于半导体晶片表面的颗粒，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、将晶片竖直放入第一清洗槽中，喷水管从晶片上方对晶片进行喷淋冲洗，直至水浸没晶片时将水全部排空；
步骤二、将晶片竖直放入第二清洗槽中浸泡，向第二清洗槽内补水直至水向外溢出；
步骤三、将晶片竖直放入第三清洗槽中，采用异丙醇蒸汽干燥工艺对晶片进行干燥。
2.如权利要求1所述的半导体晶片清洗方法，其特征在于：所述步骤一和步骤二用的水为去离子水。
3.如权利要求1或2所述的半导体晶片清洗方法，其特征在于：所述步骤一中水的温度为60～90摄氏度。
4.如权利要求3所述的半导体晶片清洗方法，其特征在于：所述步骤一中水的温度为60摄氏度。
5.如权利要求1或2所述的半导体晶片清洗方法，其特征在于：所述步骤二中水的温度为20～40摄氏度。
6.如权利要求1所述的半导体晶片清洗方法，其特征在于：所述步骤一中将水排空后，继续循环进行喷水管从晶片上方对晶片进行喷淋冲洗，直至水浸没晶片时将水全部排空的过程。
7.如权利要求6所述的半导体晶片清洗方法，其特征在于：所述步骤一的循环次数为3次。
8.如权利要求1所述的半导体晶片清洗方法，其特征在于：所述第三清洗槽内壁上设置冷却水循环管路。
9.如权利要求1或8所述的半导体晶片清洗方法，其特征在于：所述第三清洗槽外设置有外罩，所述外罩上设置有排气口。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
