[发明专利]发光二极管制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管的制造方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光电半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。

发光二极管晶粒通常包括基板，依次形成在基板之上的缓冲层、N型半导体层、活性层、P型半导体层。然而，活性层发出的朝向基板的光线容易被缓冲层以及基板所吸收，从而降低发光二极管晶粒的整体出光效率。为解决光线被基板以及缓冲层吸收的问题，通常在缓冲层与N型半导体层之间插入一层布拉格反射层，用以将活性层发出的朝向基板的光线反射向上，以增加出光效率。然而，布拉格反射层只能部分反射垂直于基板方向的光线，如果光线偏离垂直于基板的方向，布拉格反射层对该光线的反射效率将会降低。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种可提高元件出光效率的发光二极管的制造方法。

一种发光二极管的制造方法，包括以下步骤：

提供一个基板；

在基板上形成未掺杂的GaN层；

蚀刻未掺杂的GaN层与基板相反的表面形成多个凹槽；

在未掺杂的GaN层的具有凹槽的表面生长布拉格反射层；以及

在布拉格反射的表面依次形成N型GaN层、活性层以及P型GaN层。

在上述发光二极管的制造方法中，由于在未掺杂的GaN层表面形成凹槽以及在具有凹槽的表面上生长布拉格反射层，所述布拉格反射层将形成波浪形的弯曲结构。所述波浪形的布拉格反射层除了反射垂直于基板方向的光线外，亦可对偏离垂直于基板方向的光线进行有效的反射，从而提高发光二极管的出光效率。

附图说明

图1是本发明实施例所提供的发光二极管的制造方法的第一个步骤。

图2是本发明实施例所提供的发光二极管的制造方法的第二个步骤。

图3是本发明实施例所提供的发光二极管的制造方法的第三个步骤。

图4是本发明实施例所提供的发光二极管的制造方法的第四个步骤。

图5是本发明实施例所提供的发光二极管的制造方法的第五个步骤。

主要元件符号说明