[发明专利]一种三明治结构线栅宽带偏振器及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310158611.4 申请日: 2013-04-28
公开(公告)号: CN103197368A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 卢明辉;宋宝生;林亮;徐叶龙;葛海雄;陈延峰 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: G02B5/30 分类号: G02B5/30
代理公司: 南京知识律师事务所 32207 代理人: 李媛媛
地址: 210093*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 三明治 结构 宽带 偏振 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种三明治结构线栅宽带偏振器,由基板上的Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅构成,其特征在于:所述基板为在通讯波段透明的光学材料;所述Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅的结构参数为:线栅周期350-400纳米,线栅占空比60%-50%,线栅总厚度300-400纳米。

2.根据权利要求1所述的一种三明治结构线栅宽带偏振器,其特征在于,所述Al-SiO2-Al三明治结构中,第一层金属铝的厚度为80-170nm,SiO2的厚度为50-120nm,第二层金属铝的厚度为80-210nm。

3.根据权利要求1或2所述的一种三明治结构线栅宽带偏振器,其特征在于,所述基板为石英玻璃、氧化镁、氟化钙或氧化铝。

4.如权利要求1所述的一种三明治结构线栅宽带偏振器的制备方法,包括下述步骤:

(1)首先对基板进行清洗、干燥;

(2)在基板表面旋涂一层600-800nm的SU8胶并紫外光固化;

(3)在SU8胶上面旋涂一层60-70nm的含Si的紫外压印胶;

(4)采用纳米结构制备技术,在含Si的紫外压印胶表面形成纳米线栅结构;

(5)采用CHF3反应离子刻蚀工艺刻蚀残余层,暴露纳米线栅结构下的SU8胶;

(6)以含Si的紫外压印胶为掩模,采用O2反应离子刻蚀工艺刻蚀SU8胶至基板;

(7)用电子束蒸发设备先后沉积三层薄膜,分别为Al、SiO2、Al,三层薄膜的总厚度为300-400纳米;

(8)最后在SU8去胶液中进行超声举离,在基板上形成Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅,即得到三明治结构线栅宽带偏振器。

5.根据权利要求4所述的一种三明治结构线栅宽带偏振器的制备方法,其特征在于:所述步骤(4)中,采用软模板纳米压印技术形成纳米线栅结构。

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