[发明专利]发光二极管芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述发光二极管芯片的制造方法至少包括以下步骤：

1)提供一基板，所述基板自下而上依次包括衬底、N型半导体层、发光层及P型半导体层；

2)对所述基板进行部分刻蚀，在所述基板中形成一凹陷区域，所述凹陷区域底部到达所述N型半导体层中；

3)在步骤2)形成的结构上沉积光反射层，并对所述光反射层进行刻蚀，在所述P型半导体层上形成P电极区光反射层及P电极引线区光反射层、在所述凹陷区域的N型半导体层上形成N电极区光反射层及N电极引线区光反射层，然后进行退火处理；

4)在其余P型半导体层、所述P电极区光反射层及所述P电极引线区光反射层上形成透明导电层，所述透明导电层覆盖所述P电极区光反射层及所述P电极引线区光反射层；

5)在所述透明导电层上制作P电极及P电极引线，在所述凹陷区域的N型半导体层上制作N电极及N电极引线；所述P电极与所述P电极区光反射层相对，所述P电极引线与所述P电极引线区光反射层相对；所述N电极覆盖所述N电极区光反射层并与N型半导体层接触，所述N电极引线与所述N电极连接的前段部分形成于所述N电极引线区光反射层上，后段部分形成于所述N型半导体层上；位于所述N电极引线区光反射层上的N电极引线与所述N电极引线区光反射层在水平面上的投影面积百分比为y₁，其中50％≤y₁≤80％。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述P电极与所述P电极区光反射层在水平面上的投影面积百分比为x₁，其中80％≤x₁≤190％，所述N电极区光反射层与所述N电极在水平面上的投影面积百分比为y₂，其中50％≤y₂≤80％。

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述P电极引线与所述P电极引线区光反射层在水平面上的投影面积百分比为x₂，其中80％≤x₂≤190％。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述光反射层的厚度范围是600～8000埃。

5.根据权利要求1至3任意一项所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述退火处理的温度范围是300～600℃，时间范围是5～30min，气氛为氮气或氧气。

6.根据权利要求1至3任意一项所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述光反射层的材料为SiO₂或Si₃N₄。

7.一种发光二极管芯片，其特征在于：所述发光二极管芯片至少包括基板，所述基板自下而上依次包括衬底、N型半导体层、发光层及P型半导体层；所述基板上形成有一底部到达所述N型半导体层中的凹陷区域；所述P型半导体层上形成有P电极区光反射层及P电极引线区光反射层；所述凹陷区域内的N型半导体层上形成有N电极区光反射层及N电极引线区光反射层；所述P电极区光反射层、P电极引线区光反射层以及其余P型半导体层上覆盖有透明导电层；所述透明导电层上形成有P电极及P电极引线；所述P电极与所述P电极区光反射层相对，所述P电极引线与所述P电极引线区光反射层相对；所述N电极区光反射层上设有N电极，所述N电极覆盖所述N电极区光反射层并与所述N型半导体层接触，所述N电极连接有N电极引线，所述N电极引线与所述N电极接触的前段部分形成于所述N电极引线区光反射层上，后段部分形成于所述N型半导体层上；位于所述N电极引线区光反射层上的N电极引线与所述N电极引线区光反射层在水平面上的投影面积百分比为y₁，其中50％≤y₁≤80％。

8.根据权利要求7所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述P电极与所述P电极区光反射层在水平面上的投影面积百分比为x₁，其中80％≤x₁≤190％，所述N电极区光反射层与所述N电极在水平面上的投影面积百分比为y₂，其中50％≤y₂≤80％。