[发明专利]发光二极管芯片及其制造方法有效
申请号: | 201310158810.5 | 申请日: | 2013-04-28 |
公开(公告)号: | CN103280499B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 郝茂盛;袁根如;陈诚;陶淳;朱广敏;张楠;杨杰 | 申请(专利权)人: | 上海蓝光科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/46;H01L33/38 |
代理公司: | 上海光华专利事务所31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管芯片的制造方法,其特征在于,所述发光二极管芯片的制造方法至少包括以下步骤:
1)提供一基板,所述基板自下而上依次包括衬底、N型半导体层、发光层及P型半导体层;
2)对所述基板进行部分刻蚀,在所述基板中形成一凹陷区域,所述凹陷区域底部到达所述N型半导体层中;
3)在步骤2)形成的结构上沉积光反射层,并对所述光反射层进行刻蚀,在所述P型半导体层上形成P电极区光反射层及P电极引线区光反射层、在所述凹陷区域的N型半导体层上形成N电极区光反射层及N电极引线区光反射层,然后进行退火处理;
4)在其余P型半导体层、所述P电极区光反射层及所述P电极引线区光反射层上形成透明导电层,所述透明导电层覆盖所述P电极区光反射层及所述P电极引线区光反射层;
5)在所述透明导电层上制作P电极及P电极引线,在所述凹陷区域的N型半导体层上制作N电极及N电极引线;所述P电极与所述P电极区光反射层相对,所述P电极引线与所述P电极引线区光反射层相对;所述N电极覆盖所述N电极区光反射层并与N型半导体层接触,所述N电极引线与所述N电极连接的前段部分形成于所述N电极引线区光反射层上,后段部分形成于所述N型半导体层上;位于所述N电极引线区光反射层上的N电极引线与所述N电极引线区光反射层在水平面上的投影面积百分比为y1,其中50%≤y1≤80%。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制造方法,其特征在于:所述P电极与所述P电极区光反射层在水平面上的投影面积百分比为x1,其中80%≤x1≤190%,所述N电极区光反射层与所述N电极在水平面上的投影面积百分比为y2,其中50%≤y2≤80%。
3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制造方法,其特征在于:所述P电极引线与所述P电极引线区光反射层在水平面上的投影面积百分比为x2,其中80%≤x2≤190%。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的发光二极管芯片的制造方法,其特征在于:所述光反射层的厚度范围是600~8000埃。
5.根据权利要求1至3任意一项所述的发光二极管芯片的制造方法,其特征在于:所述退火处理的温度范围是300~600℃,时间范围是5~30min,气氛为氮气或氧气。
6.根据权利要求1至3任意一项所述的发光二极管芯片的制造方法,其特征在于:所述光反射层的材料为SiO2或Si3N4。
7.一种发光二极管芯片,其特征在于:所述发光二极管芯片至少包括基板,所述基板自下而上依次包括衬底、N型半导体层、发光层及P型半导体层;所述基板上形成有一底部到达所述N型半导体层中的凹陷区域;所述P型半导体层上形成有P电极区光反射层及P电极引线区光反射层;所述凹陷区域内的N型半导体层上形成有N电极区光反射层及N电极引线区光反射层;所述P电极区光反射层、P电极引线区光反射层以及其余P型半导体层上覆盖有透明导电层;所述透明导电层上形成有P电极及P电极引线;所述P电极与所述P电极区光反射层相对,所述P电极引线与所述P电极引线区光反射层相对;所述N电极区光反射层上设有N电极,所述N电极覆盖所述N电极区光反射层并与所述N型半导体层接触,所述N电极连接有N电极引线,所述N电极引线与所述N电极接触的前段部分形成于所述N电极引线区光反射层上,后段部分形成于所述N型半导体层上;位于所述N电极引线区光反射层上的N电极引线与所述N电极引线区光反射层在水平面上的投影面积百分比为y1,其中50%≤y1≤80%。
8.根据权利要求7所述的发光二极管芯片,其特征在于:所述P电极与所述P电极区光反射层在水平面上的投影面积百分比为x1,其中80%≤x1≤190%,所述N电极区光反射层与所述N电极在水平面上的投影面积百分比为y2,其中50%≤y2≤80%。
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