[发明专利]发光二极管芯片及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310158810.5 申请日: 2013-04-28
公开(公告)号: CN103280499B 公开(公告)日: 2017-04-19
发明(设计)人: 郝茂盛;袁根如;陈诚;陶淳;朱广敏;张楠;杨杰 申请(专利权)人: 上海蓝光科技有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/46;H01L33/38
代理公司: 上海光华专利事务所31219 代理人: 李仪萍
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光二极管 芯片 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管芯片的制造方法,其特征在于,所述发光二极管芯片的制造方法至少包括以下步骤:

1)提供一基板,所述基板自下而上依次包括衬底、N型半导体层、发光层及P型半导体层;

2)对所述基板进行部分刻蚀,在所述基板中形成一凹陷区域,所述凹陷区域底部到达所述N型半导体层中;

3)在步骤2)形成的结构上沉积光反射层,并对所述光反射层进行刻蚀,在所述P型半导体层上形成P电极区光反射层及P电极引线区光反射层、在所述凹陷区域的N型半导体层上形成N电极区光反射层及N电极引线区光反射层,然后进行退火处理;

4)在其余P型半导体层、所述P电极区光反射层及所述P电极引线区光反射层上形成透明导电层,所述透明导电层覆盖所述P电极区光反射层及所述P电极引线区光反射层;

5)在所述透明导电层上制作P电极及P电极引线,在所述凹陷区域的N型半导体层上制作N电极及N电极引线;所述P电极与所述P电极区光反射层相对,所述P电极引线与所述P电极引线区光反射层相对;所述N电极覆盖所述N电极区光反射层并与N型半导体层接触,所述N电极引线与所述N电极连接的前段部分形成于所述N电极引线区光反射层上,后段部分形成于所述N型半导体层上;位于所述N电极引线区光反射层上的N电极引线与所述N电极引线区光反射层在水平面上的投影面积百分比为y1,其中50%≤y1≤80%。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制造方法,其特征在于:所述P电极与所述P电极区光反射层在水平面上的投影面积百分比为x1,其中80%≤x1≤190%,所述N电极区光反射层与所述N电极在水平面上的投影面积百分比为y2,其中50%≤y2≤80%。

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制造方法,其特征在于:所述P电极引线与所述P电极引线区光反射层在水平面上的投影面积百分比为x2,其中80%≤x2≤190%。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的发光二极管芯片的制造方法,其特征在于:所述光反射层的厚度范围是600~8000埃。

5.根据权利要求1至3任意一项所述的发光二极管芯片的制造方法,其特征在于:所述退火处理的温度范围是300~600℃,时间范围是5~30min,气氛为氮气或氧气。

6.根据权利要求1至3任意一项所述的发光二极管芯片的制造方法,其特征在于:所述光反射层的材料为SiO2或Si3N4

7.一种发光二极管芯片,其特征在于:所述发光二极管芯片至少包括基板,所述基板自下而上依次包括衬底、N型半导体层、发光层及P型半导体层;所述基板上形成有一底部到达所述N型半导体层中的凹陷区域;所述P型半导体层上形成有P电极区光反射层及P电极引线区光反射层;所述凹陷区域内的N型半导体层上形成有N电极区光反射层及N电极引线区光反射层;所述P电极区光反射层、P电极引线区光反射层以及其余P型半导体层上覆盖有透明导电层;所述透明导电层上形成有P电极及P电极引线;所述P电极与所述P电极区光反射层相对,所述P电极引线与所述P电极引线区光反射层相对;所述N电极区光反射层上设有N电极,所述N电极覆盖所述N电极区光反射层并与所述N型半导体层接触,所述N电极连接有N电极引线,所述N电极引线与所述N电极接触的前段部分形成于所述N电极引线区光反射层上,后段部分形成于所述N型半导体层上;位于所述N电极引线区光反射层上的N电极引线与所述N电极引线区光反射层在水平面上的投影面积百分比为y1,其中50%≤y1≤80%。

8.根据权利要求7所述的发光二极管芯片,其特征在于:所述P电极与所述P电极区光反射层在水平面上的投影面积百分比为x1,其中80%≤x1≤190%,所述N电极区光反射层与所述N电极在水平面上的投影面积百分比为y2,其中50%≤y2≤80%。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海蓝光科技有限公司,未经上海蓝光科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310158810.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top