[发明专利]一种硅太阳能电池的正面电极及其制备方法有效
申请号: | 201310158822.8 | 申请日: | 2013-04-28 |
公开(公告)号: | CN103258867A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 夏金才;周体;肖剑峰;黄志林 | 申请(专利权)人: | 宁波日地太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 周珏 |
地址: | 315803 浙江省宁波*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 正面 电极 及其 制备 方法 | ||
1.一种硅太阳能电池的正面电极,该硅太阳能电池包括P型硅基体,该正面电极包括印刷于所述的P型硅基体的正表面上的银电极,其特征在于:在经金属化处理后的所述的银电极上印刷有铜电极,所述的铜电极在金属化处理后在所述的P型硅基体的正表面上形成铜银合金的正面电极。
2.根据权利要求1所述的一种硅太阳能电池的正面电极,其特征在于:所述的银电极的宽度为10~80微英寸,所述的银电极的厚度为5~20微英寸,所述的银电极在链式烧结炉内进行金属化处理,并在金属化处理过程中通入压缩空气。
3.根据权利要求1或2所述的一种硅太阳能电池的正面电极,其特征在于:所述的铜电极的宽度为5~75微英寸,所述的铜电极的厚度为5~20微英寸,所述的铜电极在链式烧结炉内进行金属化处理,并在金属化处理过程中通入氢气。
4.一种硅太阳能电池的正面电极的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
①在已经经过制绒、扩散、后清洗、镀膜和印刷背面电极工艺处理后的P型硅基体的正表面上印刷上银电极;
②对印刷于P型硅基体的正表面上的银电极进行金属化处理;
③在金属化处理后的银电极的表面上印刷上铜电极,形成电极叠层;
④对铜电极进行金属化处理,形成铜银合金的正面电极。
5.根据权利要求4所述的一种硅太阳能电池的正面电极的制备方法,其特征在于:所述的银电极的宽度为10~80微英寸,所述的银电极的厚度为5~20微英寸。
6.根据权利要求4或5所述的一种硅太阳能电池的正面电极的制备方法,其特征在于:所述的步骤①中的银电极的制备采用丝网印刷工艺,其工艺条件为:印刷压力为2~6公斤,丝网线宽为10~80微英寸,丝网膜厚度为5~20微英寸。
7.根据权利要求6所述的一种硅太阳能电池的正面电极的制备方法,其特征在于:所述的步骤②中对印刷于P型硅基体的正表面上的银电极的金属化处理过程在链式烧结炉内进行,其工艺条件为:带速为190~210英寸/分钟,烧结温度为850~900℃,压缩空气的量程为29~35%。
8.根据权利要求7所述的一种硅太阳能电池的正面电极的制备方法,其特征在于:所述的铜电极的宽度为5~75微英寸,所述的铜电极的厚度为5~20微英寸。
9.根据权利要求8所述的一种硅太阳能电池的正面电极的制备方法,其特征在于:所述的步骤①中的铜电极的制备采用丝网印刷工艺,其工艺条件为:印刷压力为2~6公斤,丝网线宽为5~75微英寸,丝网膜厚度为5~20微英寸。
10.根据权利要求9所述的一种硅太阳能电池的正面电极的制备方法,其特征在于:所述的步骤④中对铜电极进行金属化处理的过程在链式烧结炉内进行,其工艺条件为:带速为230~260英寸/分钟,烧结温度为950~990℃,氢气的量程为22~28%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的