[发明专利]发光二极管结构及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管结构，包含：

绝缘基板；

多个发光二极管芯片，其中每一该些发光二极管芯片包含一外延层，该外延层包含依序堆叠在该绝缘基板的一表面上的第一电性半导体层、主动层以及第二电性半导体层，且每一该些发光二极管芯片包含邻接的平台结构与第一电性半导体层暴露部分、以及第一隔离沟槽，该第一隔离沟槽设于该平台结构中；

多个内连线层，分别连接该些发光二极管芯片的相邻二者；

第一电性电极垫及第二电性电极垫分别设于该些发光二极管芯片的一第一者与一第二者上，且分别与该第一者的该第一电性半导体层暴露部分及该第二者的该第二电性半导体层电连接；

绝缘反射层，覆盖在该些内连线层、该些平台结构、该第一电性电极垫与该第二电性电极垫上，其中该绝缘反射层具有至少一第一贯穿孔与至少一第二贯穿孔分别暴露出部分的该第一电性电极垫与该第二电性电极垫；

第一电性接合垫，位于部分的该绝缘反射层上，且经过该至少一第一贯穿孔而与该第一电性电极垫电连接；以及

第二电性接合垫，位于另一部分的该绝缘反射层上，并与该第一电性接合垫分离，且经过该至少一第二贯穿孔而与该第二电性电极垫电连接。

2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中每一该些发光二极管芯片还包含一绝缘层，该绝缘层填入该第一隔离沟槽中，以封住该第一隔离沟槽的一开口。

3.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中每一该些发光二极管芯片还包含一电流阻障层，介于该平台结构上的该内连线层与该绝缘层之间。

4.如权利要求3所述的发光二极管结构，其中每一该些发光二极管芯片还包含一透明导电层延伸于该平台结构的该第二电性半导体层上，且介于该平台结构上的该内连线层与该电流阻障层之间。

5.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中

每一该些发光二极管芯片还包含一介电层，设于该外延层上，且每一该些发光二极管芯片设有一第一电性接触孔与一第二电性接触孔贯穿该介电层，

该第一隔离沟槽介于该发光二极管芯片的该第二电性接触孔与相邻的该发光二极管芯片的该第一电性接触孔之间，

每一该些内连线层由每一该些发光二极管芯片的该第二电性接触孔中经由该第一隔离沟槽上方而延伸至相邻的该发光二极管芯片的该第一电性接触孔中，以及

该绝缘反射层还覆盖在该介电层上。

6.如权利要求5所述的发光二极管结构，其中

每一该些发光二极管芯片还包含一透明导电层，介于该介电层与该外延层之间；

该第一电性接触孔的一底部暴露出该第一电性半导体层暴露部分；以及

该第二电性接触孔的一底部暴露出该透明导电层。

7.如权利要求6所述的发光二极管结构，其中每一该些发光二极管芯片还包含至少一电流阻障层，介于该第二电性接触孔的该底部与该外延层之间。

8.如权利要求5所述的发光二极管结构，其中在每一该些发光二极管芯片中，该外延层具有一凹槽，该凹槽的一底部暴露出该第一电性半导体层暴露部分，该第一电性接触孔暴露出该凹槽的该底部的一部分，且该介电层覆盖在该凹槽的一侧壁上。

9.如权利要求5所述的发光二极管结构，其中每一该些发光二极管芯片还包含至少一绝缘衬层，覆盖在该第一电性接触孔的一侧壁上。