[发明专利]一种减小传播表面等离激元泄漏损耗的方法在审

专利信息
申请号: 201310159720.8 申请日: 2013-05-03
公开(公告)号: CN103246016A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 王卓贤;魏红;徐红星 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122
代理公司: 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 代理人: 王艺
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 减小 传播 表面 离激元 泄漏 损耗 方法
【权利要求书】:

1.一种减小传播表面等离激元泄漏损耗的方法,其特征在于,包括如下步骤:

在包括金属纳米波导及其衬底的表面等离激元波导上覆盖上介质层。

2.如权利要求1所述的一种减小传播表面等离激元泄漏损耗的方法,其特征在于:

所述介质层是对所述金属纳米波导和衬底整个进行覆盖。

3.如权利要求1所述的一种减小传播表面等离激元泄漏损耗的方法,其特征在于:

所述介质层是仅对金属纳米波导表面通过包裹的形式进行覆盖。

4.如权利要求1、2或3所述的一种减小传播表面等离激元泄漏损耗的方法,其特征在于:

所述金属纳米波导为金属纳米线、纳米带、纳米沟槽中的任意一种;其金属材料为金、银、铂、铜、铝中的任意一种、二种或多种。

5.如权利要求4所述的一种减小传播表面等离激元泄漏损耗的方法,其特征在于:所述衬底的材料为玻璃、二氧化硅、氟化镁、氧化铝等中的任意一种、二种或多种组成的复合材料。

6.如权利要求5所述的一种减小传播表面等离激元泄漏损耗的方法,其特征在于:所述介质层为二氧化硅、氧化铝、氧化铪、聚合物薄膜等材料中的一种、二种或多种;所述介质层可以通过原子层沉积、磁控溅射、等离子体增强化学气相沉积法、旋涂等方法来制备;所述介质层的厚度可以从原子层量级到微米量级。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所,未经中国科学院物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310159720.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top