[发明专利]发光元件的制造方法及成膜装置

权利要求书

1.一种发光元件的制造方法，包括如下步骤：

在对室中的水分压进行测量的同时，在减压下使材料汽化而在所述室中的衬底上形成所述材料的层。

2.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其中，在冷却所述成膜室的壁的同时进行所述汽化工序。

3.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其中，在所述水分压为1×10^-4Pa以下的条件下进行所述汽化工序。

4.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其中，在氧原子分压为2×10^-6Pa以下的条件下进行所述汽化工序。

5.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其中，所述水分压使用质谱仪测量。

6.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其中，所述水分压使用四极质谱仪测量。

7.一种发光元件的制造方法，包括如下步骤：

在成膜室中，将所述成膜材料保持为不使成膜材料汽化并使水汽化的第一温度的第一步骤；

在所述第一步骤之后，在所述成膜室中，将所述成膜材料保持为使所述成膜材料汽化的第二温度的第二步骤；

在所述第二步骤之后，在衬底上开始所述成膜材料的成膜的第三步骤，

其中，在开始所述成膜时所述成膜室中的水分压小于所述第一步骤与所述第二步骤的水分压的平均值。

8.根据权利要求7所述的发光元件的制造方法，其中，在所述第一步骤和所述第二步骤中不进行所述成膜室的成膜。

9.根据权利要求7所述的发光元件的制造方法，其中，在使用质谱仪测量所述水分压的同时进行所述第一步骤、所述第二步骤及所述第三步骤。

10.根据权利要求7所述的发光元件的制造方法，包括在所述第二步骤与所述第三步骤之间停止所述成膜材料的加热的步骤。

11.根据权利要求7所述的发光元件的制造方法，其中，在加热所述成膜室的壁的同时进行所述第一步骤及所述第二步骤。

12.根据权利要求7所述的发光元件的制造方法，其中，在冷却所述成膜室的壁的同时进行所述第三步骤。

13.根据权利要求7所述的发光元件的制造方法，其中，在所述水分压为1×10^-4Pa以下的条件下进行所述第三步骤。

14.根据权利要求7所述的发光元件的制造方法，其中，在氧原子分压为2×10^-6Pa以下的条件下进行所述第三步骤。

15.根据权利要求9所述的发光元件的制造方法，其中，所述质谱仪是四极质谱仪。

16.根据权利要求7所述的发光元件的制造方法，

其中，在开始所述成膜时，所述成膜室中的所述水分压为1×10^-4Pa以下。

17.一种成膜装置，包括：

成膜室，该成膜室连接于第一排气机构并在所述成膜室中包括成膜材料室，

其中，所述成膜材料室连接于第一质谱仪及第二排气机构并包括滑板阀及加热机构。

18.根据权利要求17所述的成膜装置，其中，在所述成膜装置中，所述成膜室中的气氛可以与所述成膜材料室中的气氛不同。

19.根据权利要求17所述的成膜装置，其中，所述成膜材料室包括加热所述成膜材料室的内壁的机构。

20.根据权利要求17所述的成膜装置，其中，所述成膜材料室包括冷却所述成膜材料室的内壁的机构。

21.根据权利要求17所述的成膜装置，其中，所述成膜室包括加热所述成膜室的内壁的机构。

22.根据权利要求17所述的成膜装置，其中，所述成膜室包括冷却所述成膜室的内壁的机构。

23.根据权利要求17所述的成膜装置，其中，所述第一质谱仪是四极质谱仪。

24.根据权利要求17所述的成膜装置，其中，所述成膜室连接于第二质谱仪。

25.根据权利要求24所述的成膜装置，其中，所述第二质谱仪是四极质谱仪。