[发明专利]MEMS麦克风及其制作方法

权利要求书

1.一种MEMS麦克风，包括基底、背极板、振膜、绝缘层、支撑层和电极；其中，

所述背极板包括第一背极板和第二背极板，所述绝缘层包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，所述支撑层包括第一支撑层和第二支撑层；

所述第一绝缘层设置在所述基底和所述第一背极板之间，所述第二绝缘层设置在所述第一背极板的上方；

所述第一支撑层设置在所述第二绝缘层和所述振膜之间，所述第二支撑层设置在所述振膜和所述第三绝缘层之间，其中，在所述振膜上设置有向所述第二绝缘层方向延伸的振膜突出件，在所述第三绝缘层上设置有向所述振膜方向延伸的绝缘层突出件；

其中，所述第二背极板设置在所述第三绝缘层上方；

所述电极分别设置在所述第一背极板和所述第二背极板上。

2.如权利要求1所述的MEMS麦克风，其中，

在所述第一背极板和所述第二背极板上均设置有多个通孔；

所述第一背极板和所述第二背极板上的通孔分别与所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的通孔一一对应。

3.如权利要求1所述的MEMS麦克风，其中，设置在所述第一支撑层和所述第二支撑层之间的所述振膜与所述第二绝缘层和第三绝缘层之间分别形成所述振膜振动的空气间隙。

4.一种MEMS麦克风的制作方法，包括如下步骤：

通过基底热氧化，使基底的多晶硅与氧化剂发生反应生成二氧化硅作为第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上方沉积第一背极板，并在所述第一背极板上蚀刻多个通孔；

在所述第一背极板上方沉积第二绝缘层，并且在所述第二绝缘层形成与所述第一背极板上的通孔相对应的通孔；

将聚乙烯氧化物通过化学沉积的方法沉积在所述第二绝缘层上方作为第一支撑层，同时聚乙烯氧化物沉积填充到所述第一背极板的通孔和所述第二绝缘层的通孔内；

将所述第一支撑层通过蚀刻的方法形成多个凹槽；

在所述第一支撑层上通过化学沉积的方法形成振膜，其中，沉积到第一支撑层的凹槽内的振膜部分形成振膜突出件；

通过化学沉积的方法将聚乙烯氧化物沉积在所述振膜上作为第二支撑层；

在所述第二支撑层上蚀刻出多个凹槽；

在所述第二支撑层上沉积第三绝缘层，其中，沉积到所述第二支撑层的凹槽的绝缘层部分形成绝缘层突出件；

在所述第三绝缘层上沉积第二背极板，并在所述第二背极板和所述第三绝缘层上蚀刻多个通孔；

分别在所述第一背极板和所述第二背极板沉积电极。

5.如权利要求4所述的MEMS麦克风的制作方法，其中，

在所述基底和所述第一绝缘层上通过蚀刻形成MEMS麦克风的贯通孔。

6.如权利要求4所述的MEMS麦克风的制作方法，其中，

通过蚀刻消除所述支撑层中与所述MEMS麦克风的贯通孔相对应位置的聚乙烯氧化物，在所述振膜与所述第二绝缘层和第三绝缘层之间分别形成所述振膜振动的空气间隙。