[发明专利]3D集成电路以及3D 图像传感器结构有效

专利信息
申请号: 201310161149.3 申请日: 2013-05-03
公开(公告)号: CN103681706A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 匡训冲 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L23/544;H01L21/68
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 集成电路 以及 图像传感器 结构
【权利要求书】:

1.一种集成电路,包括:

支撑第一后端制程层的第一器件,所述第一后端制程层包括第一对准标记;以及

包括旋涂玻璃通孔并支撑第二后端制程层的第二器件,所述第二后端制程层包括第二对准标记,所述旋涂玻璃通孔允许利用紫外线使所述第二对准标记与所述第一对准标记对准。

2.根据权利要求l所述的集成电路,其中,所述旋涂玻璃通孔允许利用所述紫外线使所述第二对准标记与所述第一对准标记在大约0.1μm的范围内对准。

3.根据权利要求l所述的集成电路,其中,所述旋涂玻璃通孔与所述第一对准标记和所述第二对准标记中的每一个都垂直对准。

4.根据权利要求l所述的集成电路,其中,所述旋涂玻璃通孔在水平方向上相对于金属层偏移而不相对于所述第一后端制程层中的第一对准标记以及所述第二后端制程层中的第二对准标记偏移。

5.根据权利要求1所述的集成电路,其中,通过所述第二后端制程层的一部分将所述旋涂玻璃通孔和所述第二对准标记分隔开。

6.一种三维集成电路,包括:

传感器器件;

形成在所述传感器器件上的第一后端制程层,所述第一后端制程层包括第一对准标记;

包括旋涂玻璃通孔的专用电路器件;以及

形成在所述专用电路器件上的第二后端制程层,所述第二后端制程层包括第二对准标记,所述第二对准标记被配置成在紫外线穿过所述旋涂玻璃时与所述第一对准标记对准。

7.根据权利要求6所述的集成电路,其中,所述旋涂玻璃通孔允许利用所述紫外线使所述第二对准标记与所述第一对准标记在大约0.1μm的范围内对准。

8.根据权利要求6所述的集成电路,旋涂玻璃通孔与所述第一对准标记以及所述第二对准标记中的每一个垂直对准。

9.一种形成集成电路的方法,包括:

形成第一器件;

在所述第一器件上方形成第一后端制程层,所述第一后端制程层包括第一对准标记;

形成具有旋涂玻璃通孔的第二器件;

在所述第二器件上方形成第二后端制程层,所述第二后端制程层包括第二对准标记;以及

使紫外线穿过所述旋涂玻璃通孔以将所述第一对准标记与所述第二对准标记对准。

10.根据权利要求9所述的方法,还包括利用所述紫外线使所述第一对准标记与所述第二对准标记在0.1μm的范围内对准。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310161149.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top