[发明专利]3D集成电路以及3D 图像传感器结构有效
申请号: | 201310161149.3 | 申请日: | 2013-05-03 |
公开(公告)号: | CN103681706A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 匡训冲 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/544;H01L21/68 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 以及 图像传感器 结构 | ||
1.一种集成电路,包括:
支撑第一后端制程层的第一器件,所述第一后端制程层包括第一对准标记;以及
包括旋涂玻璃通孔并支撑第二后端制程层的第二器件,所述第二后端制程层包括第二对准标记,所述旋涂玻璃通孔允许利用紫外线使所述第二对准标记与所述第一对准标记对准。
2.根据权利要求l所述的集成电路,其中,所述旋涂玻璃通孔允许利用所述紫外线使所述第二对准标记与所述第一对准标记在大约0.1μm的范围内对准。
3.根据权利要求l所述的集成电路,其中,所述旋涂玻璃通孔与所述第一对准标记和所述第二对准标记中的每一个都垂直对准。
4.根据权利要求l所述的集成电路,其中,所述旋涂玻璃通孔在水平方向上相对于金属层偏移而不相对于所述第一后端制程层中的第一对准标记以及所述第二后端制程层中的第二对准标记偏移。
5.根据权利要求1所述的集成电路,其中,通过所述第二后端制程层的一部分将所述旋涂玻璃通孔和所述第二对准标记分隔开。
6.一种三维集成电路,包括:
传感器器件;
形成在所述传感器器件上的第一后端制程层,所述第一后端制程层包括第一对准标记;
包括旋涂玻璃通孔的专用电路器件;以及
形成在所述专用电路器件上的第二后端制程层,所述第二后端制程层包括第二对准标记,所述第二对准标记被配置成在紫外线穿过所述旋涂玻璃时与所述第一对准标记对准。
7.根据权利要求6所述的集成电路,其中,所述旋涂玻璃通孔允许利用所述紫外线使所述第二对准标记与所述第一对准标记在大约0.1μm的范围内对准。
8.根据权利要求6所述的集成电路,旋涂玻璃通孔与所述第一对准标记以及所述第二对准标记中的每一个垂直对准。
9.一种形成集成电路的方法,包括:
形成第一器件;
在所述第一器件上方形成第一后端制程层,所述第一后端制程层包括第一对准标记;
形成具有旋涂玻璃通孔的第二器件;
在所述第二器件上方形成第二后端制程层,所述第二后端制程层包括第二对准标记;以及
使紫外线穿过所述旋涂玻璃通孔以将所述第一对准标记与所述第二对准标记对准。
10.根据权利要求9所述的方法,还包括利用所述紫外线使所述第一对准标记与所述第二对准标记在0.1μm的范围内对准。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的