[发明专利]太阳能单晶硅片制绒液及其应用方法无效
申请号: | 201310161584.6 | 申请日: | 2013-05-03 |
公开(公告)号: | CN103205815A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 单以洪;冯仕猛 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C30B33/10 | 分类号: | C30B33/10 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人: | 王毓理;王锡麟 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能 单晶硅 片制绒液 及其 应用 方法 | ||
1.一种太阳能单晶硅片制绒液,其特征在于,其组分为:NaOH9.6~12.5g/L、乙醇50~100mL/L、乙醇钠0.25~2g/L、维生素1~2g/L以及0.5~2.5g/L的全氟烷基醚羧酸钾盐FC-5、聚氧乙烯醚、聚乙二醇酸酯、多元醇酯或月桂酰二乙醇胺中的至少一种,溶剂为水。
2.根据权利要求1所述的太阳能单晶硅片制绒液的应用方法,其特征在于,将该制绒液用于腐蚀抛光后的硅片,实现单晶硅少子寿命的延长;
所述的腐蚀是指:采用水浴锅加热制绒液使得温度控制在78~80℃,将硅片腐蚀30分钟,腐蚀完毕之后取出烘干。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征是,所述的硅片经过超声清洗以及抛光处理。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征是,所述的超声清洗是指:用无水乙醇将硅片超声3-5分钟,前后反复两遍,再依次使用温度为85℃和15℃、电导率为18Ω/cm的去离子水对硅片进行清洗。
5.根据权利要求所述的方法,其特征是,所述的抛光是指:对硅片进行将样品放在25%的NaOH的溶液中且在78~80℃的温度下进行抛光。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310161584.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。