[发明专利]一种波长为343nm的全固态脉冲紫外激光器在审
申请号: | 201310162535.4 | 申请日: | 2013-05-07 |
公开(公告)号: | CN104143759A | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
发明(设计)人: | 姜培培;沈永行;许洋 | 申请(专利权)人: | 许洋 |
主分类号: | H01S3/16 | 分类号: | H01S3/16 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 100062 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 波长 343 nm 固态 脉冲 紫外 激光器 | ||
1.一种波长为343nm的全固态脉冲紫外激光器由半导体激光泵源1、耦合光学系统2、激光输入镜3、掺镱的钇铝石榴石Yb:YAG激光晶体4、调Q开关5、激光输出镜6、三倍频晶体7、二倍频晶体8和端面激光全反镜9组成。半导体激光泵源1、耦合光学系统2、激光输入镜3、掺镱的钇铝石榴石Yb:YAG激光晶体4、调Q开关5、激光输出镜6、三倍频晶体7、二倍频晶体8和端面激光全反镜9在空间上顺次排列,半导体激光泵源1、耦合光学系统2、激光输入镜3、掺镱的钇铝石榴石Yb:YAG激光晶体4、调Q开关5、三倍频晶体7、二倍频晶体8和端面激光全反镜9的通光光轴相互对准,激光输出镜6与系统通光光轴成一定角度放置。
2.另一种波长为343nm的全固态脉冲紫外激光器由半导体激光泵源1、耦合光学系统2、激光输入镜3、掺镱的钇铝石榴石Yb:YAG激光晶体4、调Q开关5、激光输出镜6、三倍频晶体7、二倍频晶体8和端面激光反射锥10组成;半导体激光泵源1、耦合光学系统2、激光输入镜3、掺镱的钇铝石榴石Yb:YAG激光晶体4、调Q开关5、激光输出镜6、三倍频晶体7、二倍频晶体8和端面激光反射锥10在空间上顺次排列,半导体激光泵源1、耦合光学系统2、激光输入镜3、掺镱的钇铝石榴石Yb:YAG激光晶体4、调Q开关5、三倍频晶体7、二倍频晶体8和端面激光反射锥10的通光光轴相互对准,激光输出镜6与系统通光光轴成一定角度放置。
3.根据权利要求1或2中,所述的半导体激光泵源1是一种波长在940nm附近的半导体激光器;所述的激光输入镜3是一种在波长930-950nm高透、在波长1020-1040nm全反的双色激光反射镜。
4.根据权利要求1或2所述的掺镱的钇铝石榴石Yb:YAG激光晶体4中Yb离子掺杂浓度在3%-20%之间。
5.根据权利要求1或2所述的调Q开关5是一种主动调Q的电光开关或声光开关,也可以是一种四价铬离子掺杂的钇铝石榴石晶体,该晶体两侧镀有对1030nm波段的防反膜。
6.根据权利要求1或2所述的激光输出镜6是一种对1030nm高透、对343nm高反的双色激光反射镜。
7.根据权利要求1或2所述的三倍频晶体7是一种切割角度满足515nm和1030nm激光和频时相位匹配关系的三硼酸锂LBO晶体,晶体的两侧镀有对1030nm增透、对515nm和343nm高透的激光防反膜。
8.根据权利要求1或2所述的二倍频晶体8是一种切割角度满足1030nm激光倍频时相位匹配关系的三硼酸锂晶体LBO或磷酸钛氧钾KTP晶体,晶体的两侧镀有对1030nm增透、对515nm和343nm高透的激光防反膜。
9.根据权利要求1所述的端面激光全反镜9是一种对1030nm和515nm波长激光反射率均大于99%的激光高反镜。
10.根据权利要求2所述的端面激光反射锥10是一种表面镀有对1030nm和515nm波长激光防反膜、三个锥面互成90度的定向反射锥体。
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