[发明专利]小平面式鳍式场效应晶体管

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

设置在第一隔离结构和第二隔离结构之间的鳍，所述第一隔离结构和所述第二隔离结构形成在半导体衬底上，所述鳍包括延伸至所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之上的上鳍部，所述上鳍部包括第一小平面表面和第二小平面表面，所述第一小平面表面形成为与所述第二小平面表面相邻且相对于所述第二小平面表面成大于90度的角度，其中，所述鳍定义所述半导体器件的源极/漏极区和沟道区，所述第一小平面表面界定所述源极/漏极区和所述沟道区的边界轮廓的第一部分，所述第二小平面表面界定所述源极/漏极区和所述沟道区的边界轮廓的第二部分，所述源极/漏极区的边界轮廓与所述沟道区的边界轮廓相同，并且所述第一小平面表面和所述第二小平面表面均不与所述半导体衬底的表面相邻。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

围绕所述第一小平面表面和所述第二小平面表面形成的栅极结构。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述鳍包括硅(Si)和锗(Ge)中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述上鳍部包括一个或多个另外的小平面表面。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一隔离结构和所述第二隔离结构中的至少一个包括浅沟槽隔离件(STI)。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

设置于栅极结构与所述第一隔离结构和第二隔离结构中的至少一个之间的介电层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二小平面表面形成为与所述上鳍部的第三小平面表面相邻且相对于所述第三小平面表面成大于90度的角度。

8.一种半导体器件，包括：

形成在半导体衬底上的鳍，所述鳍包括根据小平面结构形成的上鳍部，所述鳍定义所述半导体器件的源极/漏极区和沟道区，所述小平面结构的第一小平面表面界定所述源极/漏极区和所述沟道区的边界轮廓的第一部分，所述小平面结构的第二小平面表面界定所述源极/漏极区和所述沟道区的边界轮廓的第二部分，所述源极/漏极区的边界轮廓与所述沟道区的边界轮廓相同，并且所述第一小平面表面和所述第二小平面表面均不与所述半导体衬底的表面相邻；以及

形成围绕所述上鳍部的栅极结构。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述上鳍部包括：

与所述半导体衬底的表面平行形成的所述第一小平面表面；

与所述半导体衬底的表面垂直形成的第三小平面表面；

与所述第三小平面表面平行形成的第四小平面表面；以及

与所述第一小平面表面和所述第三小平面表面相邻形成的所述第二小平面表面。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述上鳍部包括：

与所述第一小平面表面和所述第四小平面表面相邻形成的第五小平面表面。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述鳍形成在第一隔离结构和第二隔离结构之间，所述第一隔离结构和所述第二隔离结构形成在所述半导体衬底上。

12.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底上形成鳍，所述鳍设置在第一隔离结构和第二隔离结构之间；以及

对所述鳍的上鳍部进行退火，以形成第一小平面表面和第二小平面表面，所述第一小平面表面形成为与所述第二小平面表面相邻且相对于所述第二小平面表面成大于90度的角度，其中，所述鳍定义所述半导体器件的源极/漏极区和沟道区，所述第一小平面表面界定所述源极/漏极区和所述沟道区的边界轮廓的第一部分，所述第二小平面表面界定所述源极/漏极区和所述沟道区的边界轮廓的第二部分，所述源极/漏极区的边界轮廓与所述沟道区的边界轮廓相同，并且所述第一小平面表面和所述第二小平面表面均不与所述半导体衬底的表面相邻。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述退火包括：

以700C至900C之间的温度对所述上鳍部进行退火以降低所述上鳍部的表面压力，从而基于表面扩散来形成所述第一小平面表面和所述第二小平面表面。