[发明专利]柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法

权利要求书

1.一种柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法，包括：

步骤1：选择一外延结构，该外延结构包括在图形衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层、N型GaN层、量子阱层和P型GaN层；

步骤2：在P型GaN层上形成一透明电极层；

步骤3：采用光刻的方法在透明电极层上形成图形掩膜，在透明电极层上选择性向下刻蚀，刻蚀深度到达N型GaN层内，在N型GaN层上形成凹槽；

步骤4：在透明电极层的表面及凹槽内制作绝缘介质层，在绝缘介质层上制作图形掩膜，在凹槽底部向下选择性刻蚀，刻蚀深度至图形衬底的表面，形成隔离的深槽，被深槽隔离后的独立单元为微晶粒；

步骤5：在深槽两侧的侧壁上制作绝缘介质层，形成基片；

步骤6：在基片的表面制作一层柔性透明导电层；

步骤7：采用光刻的方法，去掉绝缘介质层以外的柔性透明导电层，使其将各独立单元的微晶粒的N型GaN层和其相邻微晶粒的透明电极层连接起来；

步骤8：在透明电极层上制备P电极；

步骤9：在凹槽内的N型GaN层上制备N电极，完成制备。

2.根据权利要求1所述的柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法，其中所述的图形衬底为蓝宝石、碳化硅、氮化镓或硅的图形化材料。

3.根据权利要求1所述的柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法，其中所述的透明电极层的材料为氧化铟锡或氧化锌。

4.根据权利要求1所述的柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法，其中所述的在透明电极层的表面及凹槽内制作的绝缘介质层的材料为氧化硅、氮化硅或氧化铝。

5.根据权利要求1所述的柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法，其中所述的凹槽的数量为2-20。

6.根据权利要求1所述的柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法，其中所述的绝缘介质层的材料为氧化硅、氮化硅或氧化铝。

7.根据权利要求1所述的柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法，其中所述的柔性透明导电层的材料为石墨烯或碳纳米管的单层或多层薄膜。

8.根据权利要求1所述的柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法，其中所述去掉绝缘介质层以外的柔性透明导电层的方法为等离子体处理法，采用的气体为O₂或N₂，处理时间为1-20分钟，功率范围为100-200W。