[发明专利]磁共振断层造影设备的全身线圈和磁共振断层造影设备

权利要求书

1.一种用于磁共振断层造影设备(101)的全身线圈(102)，其特征在于，所述全身线圈(102)具有在高频天线(108)和HF屏蔽(HFS)之间的用于对距屏蔽变化的距离进行补偿的一个或多个补偿电容器(Ck)，

所述补偿电容器(Ck)分别具有随着HF屏蔽(HFS)与高频天线(108)的距离(H1，H2，H3)变化而变化的电容，

一个或多个补偿电容器(Ck)分别被构造为平板电容器，其平板(P1，P2)分别彼此具有距离(h)，所述距离能够分别通过梯度线圈(112)的延伸和/或通过HF屏蔽(HFS)与高频天线(108)的元件(Er，St)的距离(H1，H2，H3)的距离变化来变化。

2.根据权利要求1所述的全身线圈(102)，其特征在于，所述HF屏蔽(HFS)被布置和/或放置和/或固定在梯度线圈(112)上，并且在延伸梯度线圈(112)的情况下HF屏蔽(HFS)与高频天线(108)的距离(H1，H2，H3)也变化。

3.根据权利要求1所述的全身线圈(102)，其特征在于，所述全身线圈(102)具有多个补偿电容器(Ck)，所述补偿电容器分别具有在多个区域中随着从能够通过加热延伸的梯度线圈(112)至高频天线(108)的不同变化的距离(H1，H2，H3)而不同变化的电容。

4.根据权利要求1所述的全身线圈(102)，其特征在于，补偿电容器(Ck)的电容分别仅仅基于HF屏蔽(HFS)与高频天线(108)的元件(Er，St)的距离(H1，H2，H3)的距离变化而变化。

5.根据权利要求1所述的全身线圈(102)，其特征在于，这样构造补偿电容器(Ck)，使得在高频天线(108)的元件(Er，St)与HF屏蔽(HFS)的距离(H1，H2，H3)逐渐增大的情况下，补偿电容器(Ck)电容如此减小，使得完全或部分地补偿增大的电感。

6.根据权利要求1所述的全身线圈(102)，其特征在于，高频天线(108)的总谐振电容的仅一部分以补偿电容器(Ck)的形式构造。

7.根据权利要求1所述的全身线圈(102)，其特征在于，一个或多个补偿电容器(Ck)分别具有在高频天线(108)的元件(Er，St)上安装的和/或连接的电容性平板(P1)，和/或在HF屏蔽(HFS)或梯度线圈(112)上安装的和/或连接的电容性平板(P2)。

8.根据权利要求1所述的全身线圈(102)，其特征在于，一个或多个补偿电容器(Ck)分别具有在高频天线(108)的元件(Er，St)上安装的电容性平板(P1)，该电容性平板比在高频天线(108)处更靠近HF屏蔽(HFS)处安装，或比在HF屏蔽(HFS)处更靠近高频天线(108)处安装。

9.根据权利要求1所述的全身线圈(102)，其特征在于，所述补偿电容器(Ck)比高频天线(108)的元件以一个因子或其倒数的关系位于距HF屏蔽(HFS)更近的位置，该因子对应于补偿电容器(Ck)的电容占HF屏蔽(HFS)和/或高频天线(108)的总谐振电容的份额。

10.根据权利要求1所述的全身线圈(102)，其特征在于，在TEM谐振器形式的磁共振断层造影设备(101)中，HF屏蔽(HFS)和/或高频天线(108)的谐振电容位于棒的端部和HF屏蔽-屏蔽面之间，和/或棒(St)和端环段(Er)之间的电容器(Ko)上的电压与补偿电容器(Ck)上的电压相等。

11.根据权利要求1所述的全身线圈(102)，其特征在于，在鸟笼形式的磁共振断层造影设备(101)中，将补偿电容器(Ck)构造为串联电容，其在棒中和/或在端环段中引入电流流过。

12.根据权利要求1所述的全身线圈(102)，其特征在于，在多信道控制的高频天线(108)中，补偿电容器(Ck)上的电压取决于所选择的发射模式，并且对于每种发射模式确定所有参与的电容的能量之和和/或补偿电容器(Ck)的距离和/或补偿电容器(Ck)的面积，使得每种发射模式分别被补偿。

13.根据权利要求1所述的全身线圈(102)，其特征在于，HF屏蔽(HFS)与高频天线(108)的距离(H1，H2，H3)和/或补偿电容器(Ck)的平板(P1，P2)彼此之间的距离分别能够变化1％至3％。