[发明专利]氧化硅薄膜的高温原子层沉积

权利要求书

1.将氧化硅薄膜沉积到衬底上的方法，包括步骤：

a.在反应器中提供衬底；

b.将至少一种硅前体引入所述反应器中；

c.用吹扫气体吹扫反应器；

d.将氧源引入所述反应器中；和

e.用吹扫气体吹扫反应器；和

其中重复步骤b至e直到沉积所需厚度的氧化硅；和

其中所述方法在500-800℃的一个或多个温度下和50毫托(mT)-760托的一个或多个压力下进行；和其中所述至少一种硅前体具有选自以下的通式：

I.R¹R²_mSi(NR³R⁴)_nX_p

其中R¹是甲基、乙基或苯基；R²和R³各自独立地选自氢、直链或支链C₁-C₁₀烷基和C₆-C₁₀芳基；以及R⁴选自直链或支链C₁-C₁₀烷基、C₆-C₁₀芳基和C₃-C₁₀烷基甲硅烷基；其中R³和R⁴连接形成环结构或R³和R⁴不连接形成环结构；X是选自Cl、Br和I的卤素；m是0-2；n是0-2；p是0-2且m+n+p＝3；和

II.R¹R²_mSi(OR³)_n(OR⁴)_qX_p

其中R¹是甲基、乙基或苯基；R²选自氢、直链或支链C₁-C₁₀烷基和C₆-C₁₀芳基；R³和R⁴各自独立地选自直链或支链C₁-C₁₀烷基、C₂-C₁₀酰基和C₆-C₁₀芳基；其中R³和R⁴连接形成环结构或R³和R⁴不连接形成环结构；X是选自Cl、Br和I的卤素；m是0-2；n是0-2；q是0-2和p是0-2且m+n+p+q＝3。

2.权利要求1的方法，其中所述至少一种硅前体具有选自以下的通式：

I.R¹R²_mSi(NR³R⁴)_nX_p

其中R¹是甲基；R²是甲基；R³选自氢、直链或支链C₁-C₁₀烷基和C₆-C₁₀芳基；以及R⁴选自直链或支链C₁-C₁₀烷基、C₆-C₁₀芳基和C₃-C₁₀烷基甲硅烷基；其中R³和R⁴连接形成环结构或R³和R⁴不连接形成环结构；X是选自Cl、Br和I的卤素；m是2；n是0或1；p是0或1；且m+n+p＝3；和

II.R¹R²_mSi(OR³)_n

其中R¹是甲基；R²是甲基；R³选自直链或支链C₁-C₁₀烷基、C₂-C₁₀酰基和C₆-C₁₀芳基；m是2；且n是1。