[发明专利]半导体装置和将密封剂沉积在嵌入式WLCSP中的方法

权利要求书

1.一种制作半导体装置的方法，包括：

提供包括多个半导体管芯的半导体晶片；

在所述半导体晶片上形成绝缘层；

去除所述绝缘层的一部分以暴露所述半导体管芯的有源表面的一部分；

使所述半导体晶片单个化以将所述半导体管芯分开；以及

将密封剂沉积在所述半导体管芯上以覆盖所述半导体管芯的侧边以及所述半导体管芯的所述有源表面的暴露部分。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括在所述半导体管芯的所述有源表面上的接触盘上形成导电层。

3.如权利要求1所述的方法，进一步在所述绝缘层内形成导电层。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包括通过激光直接烧蚀而去除所述绝缘层的所述部分。

5.一种制作半导体装置的方法，包括：

提供半导体管芯；

在所述半导体管芯上形成绝缘层；

去除所述绝缘层的一部分以暴露所述半导体管芯的表面的一部分；以及

将密封剂沉积在所述半导体管芯上以覆盖所述半导体管芯的侧边以及所述半导体管芯的有源表面的暴露部分。

6.如权利要求5所述方法，进一步包括：

提供载体；

将所述半导体管芯设置在所述载体上，其中所述半导体管芯的所述表面偏离所述载体；

将所述密封剂沉积在所述半导体管芯和载体上以覆盖所述半导体管芯的所述侧边以及所述半导体管芯的所述有源表面的所述暴露部分；以及

去除所述载体。

7.如权利要求5所述的方法，进一步包括在所述半导体管芯的所述表面上的接触盘上形成导电层。

8.如权利要求7所述的方法，进一步包括在所述导电层上形成互连结构。

9.如权利要求5所述的方法，进一步包括在所述绝缘层内形成导电层。

10.一种半导体装置，包括：

半导体管芯；

绝缘层，其在所述半导体管芯上形成，其中所述半导体管芯的表面的一部分没有所述绝缘层；以及

密封剂，其沉积在所述半导体管芯上以覆盖所述半导体管芯的侧边以及没有所述绝缘层的所述半导体管芯的所述表面的所述部分。

11.如权利要求10所述的半导体装置，进一步包括在所述绝缘层以及所述半导体管芯的所述表面上的接触盘上形成的导电层。

12.如权利要求10所述的半导体装置，进一步包括在所述半导体管芯的所述表面上的接触盘上形成的导电层。

13.如权利要求12所述的半导体装置，进一步包括在所述导电层上形成的互连结构。

14.如权利要求10所述的半导体装置，其中，所述密封剂接触所述半导体管芯的至少五个表面。

15.如权利要求10所述的半导体装置，进一步包括在所述绝缘层内形成的导电层。