[发明专利]防止硅衬底表面损伤的方法有效
| 申请号： | 201310165221.X | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103258732A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 王恺;陈宏璘;龙吟;倪棋梁 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防止 衬底 表面 损伤 方法 | ||
1.一种防止硅衬底表面损伤的方法，应用于离子注入工艺中，所述硅衬底的上表面覆盖一具有缺陷的保护层，其特征在于，所述方法包括：
采用修复性溶液对所述保护层进行修复，以去除所述缺陷；
对所述硅衬底继续进行所述离子注入工艺。
2.如权利要求1所述的防止硅衬底表面损伤的方法，其特征在于，所述缺陷为进行离子注入工艺和/或光刻和/或刻蚀工艺后对所述氧化层所造成的损伤。
3.如权利要求1所述的防止硅衬底表面损伤的方法，其特征在于，所述保护层为牺牲氧化层。
4.如权利要求1所述的防止硅衬底表面损伤的方法，其特征在于，所述保护层的材质为SiO2。
5.如权利要求1所述的防止硅衬底表面损伤的方法，其特征在于，所述修复性溶液为强氧化性溶液，采用该强氧化性溶液氧化所述保护层以去除所述缺陷。
6.如权利要求5所述的防止硅衬底表面损伤的方法，其特征在于，所述强氧化性溶液为硫酸溶液。
7.如权利要求6所述的防止硅衬底表面损伤的方法，其特征在于，所述硫酸溶液的浓度为5%。
8.如权利要求1所述的防止硅衬底表面损伤的方法，其特征在于，采用所述修复性溶液对所述保护层进行修复后，所述保护层的厚度为
9.如权利要求1所述的防止硅衬底表面损伤的方法，其特征在于，所述离子注入工艺为大颗粒高能量离子注入工艺。
10.如权利要求1所述的防止硅衬底表面损伤的方法，其特征在于，所述缺陷为所述保护层的厚度和致密度的减少。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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