[发明专利]TEM样品的制备方法有效
| 申请号： | 201310165226.2 | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103257066A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 陈强;高林 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tem 样品 制备 方法 | ||
1.一种TEM样品的制备方法，应用于一半导体衬底上，所述半导体衬底上形成有沟槽结构，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
于所述沟槽结构的上表面设置一TEM样品制备区域；
在所述TEM样品制备区域沉积一保护层后，采用切割工艺制备TEM样品预备结构，同时于所述TEM样品预备结构上形成具有孔洞的预备截面；
于所述预备截面上沉积填充层，并进行清理工艺，部分去除所述填充层后，形成TEM样品。
2.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括，于所述清理工艺后，再次进行切割工艺，以形成所述TEM样品。
3.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述保护层的材质为金属，且利用气体辅助沉积装置进行所述保护层的沉积工艺。
4.如权利要求3所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，采用Pt或者W作为金属源进行所述保护层的沉积工艺。
5.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，采用电子束辅助沉积或者离子束辅助沉积的方法进行所述保护层的沉积工艺。
6.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述保护层的厚度为100nm~2000nm。
7.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，在电压为30kv的条件下，采用电流为50pA~1000pA的Ga离子束，于聚焦离子束设备中进行所述切割工艺。
8.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，利用气体辅助沉积装置进行所述填充层的沉积工艺。
9.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，采用电子束辅助沉积或者离子束辅助沉积的方法进行所述填充层的沉积，且该填充层的材质为Pt、W或SiO2。
10.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述清理工艺对沉积有填充层的TEM样品预备结构进行切割操作，以部分去除填充层和剩余的保护层。
11.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，在电压为30kv的条件下，采用电流为100pA~400pA的Ga离子束，于聚焦离子束设备中进行所述清理工艺。
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