[发明专利]Si掺杂GaN稀磁半导体粉体的制备方法无效
| 申请号： | 201310165324.6 | 申请日： | 2013-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103204681A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 简基康;阿瓦拜克力.肉苏里;吴荣;李锦;孙言飞 | 申请（专利权）人： | 新疆大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 830046 新疆维吾*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | si 掺杂 gan 半导体 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.Si掺杂GaN稀磁半导体粉体的制备方法：采用直接氮化反应法，制备了Si掺杂GaN稀磁半导体粉体，所用设备系统由水平管式炉、气路系统和真空系统组成；以高纯Ga2O3(99.999%)粉作为Ga源，高纯Si(99.99%)粉或SiO(99.99%)粉作为Si源，高纯NH3(99.99%)气作为N源；将Ga2O3粉和Si粉或SiO粉混合置于氧化铝陶瓷舟中，此陶瓷舟置于水平管式炉中央加热区处，密封水平管式炉；使用机械泵和扩散泵对水平管式炉抽真空，使炉内真空度抽至9×10-3 Pa；通入Ar气，并对水平管式炉进行加热，当管式炉温度达到1050℃时，通入的Ar气被替换为250sccm的NH3气并保持3小时，然后，停止加热，关掉NH3气，通入Ar气，自然冷却到室温，最后在氧化铝陶瓷舟中得到淡黄色的粉末；将得到的粉末在HF 、HNO3和HCI混合溶液中清洗，然后放进烘箱中，在40℃下烘干，得到产物。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的原料为高纯Ga2O3(99.999%)粉，高纯Si(99.99%)粉或SiO(99.99%)粉，NH3(99.99%)气。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述温度为1050℃。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述NH3气的通入流量为250sccm。
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