[发明专利]一种应用于金属剥离的单层正性光刻胶光刻方法无效
| 申请号： | 201310165347.7 | 申请日： | 2013-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103293850A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 陈谷然;王雯;任春江;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/38;G03F7/30;G03F7/20;G03F7/42 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 金属 剥离 单层 光刻 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于金属剥离的单层正性光刻胶光刻方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：
1）在半导体基板1上涂覆正性光刻胶层2，光刻胶层2厚度为0.9-2.0μm；
2）对光刻胶层2进行涂胶后烘焙处理去除部分溶剂，温度70-100℃，时间30-60秒；
3）对光刻胶层2进行正性光刻胶显影液处理，处理时间在40秒-600秒之间；
4）对光刻胶层2进行曝光，曝光剂量依光刻胶种类、胶厚而定，若以i线正性光刻胶AZ7908为例，则胶厚在0.9-2.0μm，曝光剂量在250-450mJ/cm2,曝光焦距在0.0-1.0；
5）对光刻胶层2进行曝光后烘焙处理，温度120℃-140℃，时间60秒-120秒；
6）对光刻胶层2进行显影，显影液为正性光刻胶显影液，时间60秒-90秒；
7）对光刻胶层2进行显影后烘焙处理处理，温度110℃-120℃，时间90秒-180秒。
2.根据权利要求1所述的一种应用于金属剥离的单层正性光刻胶光刻方法，其特征是所述的正性光刻胶显影液是含质量浓度为2.38% 的TMAH。
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