[发明专利]一种采用磁控溅射镀膜的电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种电子器件，包含至少一个需要进行镀膜的表面，其特征在于其镀膜采用磁控溅射来实现。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于所述的电子器件为滤波器或双工器。

3.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于所述的电子器件为无源射频和微波滤波器或双工器。

4.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于所述的磁控溅射所镀的膜为铜膜和银膜。

5.根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于所述磁控溅射所镀的膜为铜膜和银膜外还镀有一层CuMo合金膜。

6.根据权利要求5所述的电子器件，其特征在于所述CuMo合金的组成比例为Cu∶Mo＝4∶1。

7.根据权利要求5所述的电子器件，其特征在于所述CuMo合金膜的厚度为10～100nm。

8.根据权利要求5所述的电子器件，其特征在于所述CuMo合金膜的厚度为50nm。

9.根据权利要求8所述的磁控溅射镀膜方法，其特征在于包含以下步骤：

(1)将清洁的基体放入真空容器中、抽真空到10-4Pa：

(2)通入高纯氩气至0.5Pa并进行高能氩离子清洗；

(3)溅射金属铜至需要的厚度、溅射金属银至需要的厚度、溅射CuMo合金膜至50nm厚度。