[发明专利]一种用于锗硅外延生长的反应室、方法及半导体制造设备

权利要求书

1.一种用于锗硅外延生长的反应室，其特征在于，所述反应室包括：

反应腔体；

设置于所述反应腔体内部的位置可调的支撑平台；

其中，所述反应腔体被分成至少两个不同的反应区域，每个所述反应区域均相应设置有加热器，以保证在进行锗硅外延生长时在不同的所述反应区域形成不同的反应温度；

所述支撑平台用于支撑和固定进行锗硅外延生长的晶圆，其可以被调节至任何一个所述反应区域。

2.如权利要求1所述的用于锗硅外延生长的反应室，其特征在于，所述反应室还包括用于监测所述反应腔体的反应温度的温度监测装置。

3.如权利要求2所述的用于锗硅外延生长的反应室，其特征在于，所述温度监测装置为多个，并且每个所述反应区域均相应设置有至少一个所述温度监测装置。

4.如权利要求2所述的用于锗硅外延生长的反应室，其特征在于，所述温度监测装置可以在不同的所述反应区域之间移动。

5.如权利要求1所述的用于锗硅外延生长的反应室，其特征在于，所述支撑平台的非支撑面设置有用于监测反应温度的温度监测装置。

6.如权利要求2至5任一项所述的用于锗硅外延生长的反应室，其特征在于，所述温度监测装置为带有高温计的感测器。

7.如权利要求1所述的用于锗硅外延生长的反应室，其特征在于，所述反应室还包括：与所述支撑平台相连的用于调节所述支撑平台在所述反应腔体内的位置的电动马达。

8.一种半导体制造设备，其特征在于，包括权利要求1至7任一项所述的用于锗硅外延生长的反应室。

9.一种用于锗硅外延生长的方法，其特征在于，所述方法使用权利要求1至7任一项所述的用于锗硅外延生长的反应室来实现，包括如下步骤：

步骤S101：将所述反应室的反应腔体的不同反应区域的温度调节至锗硅外延生长的不同反应阶段所需的反应温度；

步骤S102：通过调节支撑平台的位置将晶圆调节至具有第一反应阶段所需反应温度的反应区域进行反应；

步骤S103：待第一反应阶段结束后，立即通过调节支撑平台的位置将晶圆调节至具有第二反应阶段所需反应温度的反应区域进行反应。

10.如权利要求9所述的用于锗硅外延生长的方法，其特征在于，在所述步骤S103之后还包括步骤S104：

重复上述过程，待某一反应阶段结束立即通过调节支撑平台的位置将晶圆调节至具有下一反应阶段所需反应温度的反应区域，直至完成锗硅的外延生长。