[发明专利]CMOS电荷泵电路

权利要求书

1.一种CMOS电荷泵电路，其特征在于，所述CMOS电荷泵电路包括：

一参考电流源和接地端以及设置在所述参考电流源和接地端之间的第十一晶体管；

第一电流转向开关和第二电流转向开关，所述第一电流转向开关耦合有一第三晶体管，第二电流转向开关耦合有一第八晶体管，所述第一电流转向开关和第二电流转向开关的连接节点还提供有一输出电压；

一镜像电流产生器，所述镜像电流产生器包括有多个晶体管形成所述第十一晶体管的两个镜像电流，包括第一镜像电流I_X和第二镜像电流I_Y，所述第一镜像电流I_X提供至所述第一电流转向开关，所述第二镜像电流I_Y提供至所述第二电流转向开关；

所述镜像电流产生器位于所述CMOS电荷泵电路的电源电压和接地端之间。

2.根据权利要求1所述的CMOS电荷泵电路，其特征在于，所述镜像电流产生器包含：

相互连接的第十晶体管和第五晶体管，所述第十晶体管的源极连接至第五晶体管的漏极，第十晶体管用于产生第十一晶体管的镜像电流，并使流经第五晶体管的电流与流经第十晶体管的电流相同；

所述镜像电流产生器还包含一用于产生流经第五晶体管电流的镜像电流的第四晶体管，流经第四晶体管的第二镜像电流I_Y提供至所述第二电流转向开关。

3.根据权利要求2所述的CMOS电荷泵电路，其特征在于，所述镜像电流产生器的晶体管还包含一用于产生流经第十晶体管电流的镜像电流的第九晶体管，流经所述第九晶体管的第一镜像电流I_X提供至第一电流转向开关，流经第九晶体管的电流为第十一晶体管的镜像电流I_X。

4.根据权利要求2所述的CMOS电荷泵电路，其特征在于，所述第三晶体管用于产生第五晶体管的镜像电流并作为第二电流转向开关的输入电流；

所述第二电流选择开关包含有第七晶体管和第六晶体管，所述第七晶体管和第六晶体管分别受逻辑信号（DNB）和逻辑信号（DN）的控制，所述逻辑信号（DNB）和逻辑信号（DN）用于选择第二电流转向开关的输入电流的流向。

5.根据权利要求4所述的CMOS电荷泵电路，其特征在于，所述逻辑信号（DNB）和逻辑信号（DN）反向设置。

6.根据权利要求2所述的CMOS电荷泵电路，其特征在于，所述第八晶体管用于产生第十晶体管的镜像电流并作为第一电流转向开关的输入电流，第一电流转向开关所包含的第一晶体管和第二晶体管分别受逻辑信号（UP）和逻辑信号（UPB）的控制，所述逻辑信号（UP）和逻辑信号（UPB）用于选择第一电流转向开关的输入电流的流向。

7.根据权利要求6所述的CMOS电荷泵电路，其特征在于，所述逻辑信号（UP）和逻辑信号（UPB）反向设置。

8.根据权利要求6所述的CMOS电荷泵电路，其特征在于，流经第八晶体管的电流为第十晶体管的镜像电流。

9.根据权利要求1所述的CMOS电荷泵电路，其特征在于，所述第一电流转向开关包含有两个源级相互连接的第一晶体管和第二晶体管，且该第一晶体管和第二晶体管的源级与第三晶体管的一端相连接；

其中，第一镜像电流I_X输入第一晶体管的漏极，输出电压连接至对第二晶体管的漏极。

10.根据权利要求1所述的CMOS电荷泵电路，其特征在于，所述第二电流转向开关包含有两个漏极相互连接的第六晶体管和第七晶体管，且该第六晶体管和第七晶体管的漏极与第八晶体管的一端相连接；

其中，第二镜像电流I_Y输入至所述第七晶体管的源级，输出电压连接至第六晶体管的源级。