[发明专利]复合式低频磁场屏蔽板

说明书

技术领域

本发明涉及一种磁场屏蔽板，特别是涉及一种复合式低频磁场屏蔽板。

背景技术     

磁场屏蔽是指在一个空间设置导电性或导磁性的材料，来降低磁场从这个空间通往另一个空间的方式。这种因屏蔽材料的作用而降低磁场能量的效应，称为屏蔽效应。通常磁场屏蔽使用金属材料，可分为两种：1、使用高导磁系数材料，将磁场导引使其远离被屏蔽物，达到屏蔽效果。但是导磁性材料可能有磁滞效应产生发热及磁饱和的问题；2、使用高导电系数的材料，利用涡流产生反相磁通，达到屏蔽效果，但可能也有发热损失的问题。因此必须慎重选择屏蔽材料，并做适当的设置，才能得到最好的屏蔽效果。

一般会认为铅板可用来屏蔽辐射线，所以也应可选用铅板来屏蔽电力频率磁场，但因铅板的导电系数及导磁系数相对于其他屏蔽材料都来得小，反而不适合用来屏蔽电力频率磁场。

铝和铜均是高导电系数的材料，可以利用法拉第定律，产生反相磁通，以减少磁场。虽然铜的导电率优于铝，但铜的重量却是铝的3.3倍，而且价格也比铝昂贵许多，因此相对上，铜比较不适合用来当做屏蔽材料。

发明内容

鉴于现有技术存在的上述问题，本发明的目的在于提供一种复合式低频磁场屏蔽板，其使用高导电系数材料和导磁性材料制成并用于屏蔽变电站的磁场源头。

为了达到上述目的，本发明提供的一种复合式低频磁场屏蔽板，其中，其由多个铝板及多个硅钢片组成，所述铝板呈多层堆叠结构；

所述硅钢片呈多层堆叠结构；以及

砖型多层堆叠的所述铝板铺设于并列的多层堆叠的所述硅钢片的上方或下方。

作为优选，所述铝板铺设成两层或两层以上。

作为优选，所述硅钢片铺设成多层。

作为优选，所述铝板的尺寸为244cm*122cm及244cm*61cm两种。

作为优选，所述硅钢片的尺寸为100cm*90cm。

作为优选，所述铝板的厚度为30cm。

作为优选，所述硅钢片的厚度为3cm。

 

本发明的复合式低频磁场屏蔽板相比于传统的屏蔽材料具有更为优秀的屏蔽效果，而且重量轻，且价格便宜，适宜大规模的推广应用。

附图说明

图1为本发明的复合式低频磁场屏蔽板架设于磁场产生源的立体结构示意图。

图2为图1的俯视图。

图3为图1的侧视图。

图4为本发明的复合式低频磁场屏蔽板中的铝板的砖形堆叠的立体图。

图5为本发明的复合式低频磁场屏蔽板中的硅钢片的直接并列堆叠的立体图。

图6为本发明的复合式低频磁场屏蔽板架设于磁场产生源的实施例2的立体结构示意图。

图7为图6的俯视图。

图8为图6的侧视图。

图9为本发明的复合式低频磁场屏蔽板中的的铝板的砖形堆叠的立体图。

图10为本发明实施例2的复合式低频磁场屏蔽板中的硅钢片直接并列堆叠的立体图。

图11为本发明实施例2的复合式低频磁场屏蔽板中的铝板铺设于硅钢片上方的示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的技术方案做进一步详细的说明:

实施例1：

如图1、图2和图3所示，分别显示本发明的复合式低频磁场屏蔽板架设于磁场产生源的立体示意图、俯视图及侧视图。本发明的复合式低频磁场屏蔽板铺设于一磁场产生源的外围，屏蔽板屏蔽一组三相三线式电流5的磁场产生源。在此实施例1中，三相三线式电流5大小为100安培且相位各差120度，该三相三线式电流5的相导体与相导体中心点间距离10cm，导线长度为50cm，图1中的测量路径一1、测量路径2及测量路径三3都距离该屏蔽板4为12cm。

如图3所示，屏蔽板4为铝板7及硅钢片8，而该屏蔽板4的组合方式为：铝板7在上而硅钢片8在下，其中该铝板7为砖型多层堆叠的方式，其厚度为30cm，并堆叠2层；该硅钢片8采用直接并列多层堆叠的方式，其厚度为3cm，并堆叠5层。

如图4所示，铝板27的尺寸为244cm*61cn；上层为两个铝板27的排列组合，下层为一铝板27与两个铝板37的排列组合。

如图5所示，每一硅钢片28的尺寸为100cm*90公尺，且直接并列以形成五层堆叠。