[发明专利]第13族氮化物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

硅衬底(10)；

在所述衬底上的至少一个半导体层(12)，所述半导体层包括第13族元素氮化物；以及

在所述至少一个半导体层上的欧姆接触(20)，所述欧姆接触包括在所述至少一个半导体层上的含硅部分(22)以及与所述含硅部分相邻并且在其上方延伸的金属部分(24)，所述金属部分包括钛和另一种金属；其中所述欧姆接触(20)不包含金，其中所述含硅部分(22)包括第一含硅部分和与所述第一含硅部分横向隔开的第二含硅部分，其中所述金属部分(24)的一部分在所述第一含硅部分与所述第二含硅部分之间延伸，并且其中所述金属部分(24)完全包围所述第一含硅部分和所述第二含硅部分。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述含硅部分(22)的硅源选自硅、氧化硅和氮化硅。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述金属部分(24)包括：

在所述至少一个半导体层(12)上并且在所述含硅部分(22)上方延伸的钛层(16)；以及

在所述钛层上的所述另一种金属的层(18)；和/或

所述钛与另一种金属的合金层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一含硅部分(22)与所述第二含硅部分(22)是间隔物或者条带。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第13族元素氮化物选自氮化铝、氮化镓和氮化铟。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中在所述衬底上的至少一个半导体层(12)包括氮化镓层以及在所述氮化镓层与所述欧姆接触之间的铝镓氮化物势垒层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述另一种金属是铝。

8.一种集成电路，包括根据权利要求1至7中任一项所述的半导体器件。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供硅衬底(10)，所述硅衬底上具有包括第13族元素氮化物的至少一个半导体层(12)；以及

通过以下步骤在所述至少一个半导体层上形成欧姆接触(20)：

在所述至少一个半导体层上形成含硅层(14)；

图案化所述含硅层，以形成含硅部分；

在所得到的结构上沉积包括钛和另一种金属的金属部分，其中所述金属部分不包含金，其中所述含硅部分包括第一含硅部分和与所述第一含硅部分横向隔开的第二含硅部分，其中所述金属部分的一部分在所述第一含硅部分与所述第二含硅部分之间延伸，并且其中所述金属部分完全包围所述第一含硅部分和所述第二含硅部分；

利用至少一种刻蚀配方来图案化所述金属部分；以及

将所得到的结构退火，以便使所述金属部分与来自所述含硅层的硅反应。

10.根据权利要求9所述的方法，其中沉积金属部分的步骤包括在所得到的结构上沉积钛层(16)以及在所述钛层上沉积另一个金属层铝层(18)。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其中通过蒸发或者物理气相沉积来沉积所述金属部分(24)。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述退火步骤在600-900℃的范围内执行。