[发明专利]改进内部晶圆温度分布的装置有效
申请号: | 201310167328.8 | 申请日: | 2013-05-08 |
公开(公告)号: | CN103977981B | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 许育嫣;古绍延;周俊利 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | B08B3/10 | 分类号: | B08B3/10;H01L21/02 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 改进 内部 温度 分布 装置 | ||
1.一种晶圆清洁工具,包括:
加工室,被配置成容纳半导体晶圆;
分配臂,被配置成为所述半导体晶圆提供高温清洁溶液;
加热元件,被配置成在将所述高温清洁溶液提供给所述分配臂之前,增加所述高温清洁溶液的温度;以及
加热杯,在所述加工室内设置在环绕所述半导体晶圆的周边的位置处,并且被配置成产生热,所述热使所述半导体晶圆的外边缘的温度升高的量大于所述半导体晶圆的中心的温度升高的量。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洁工具,其中,
所述加热杯在纵向方向上从所述半导体晶圆之上的上部位置延伸至所述半导体晶圆之下的下部位置,以及
所述加热杯在所述半导体晶圆之上是开口的以防止所述加热杯在横向方向上延伸至所述半导体晶圆之上的位置。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洁工具,其中,所述加热杯在所述半导体晶圆之下是开口的以防止所述加热杯在横向方向上延伸至所述半导体晶圆之下的位置。
4.根据权利要求1所述的晶圆清洁工具,还包括:
电源,与所述加热杯电连接并且被配置成为所述加热杯提供电流,所述加热杯被配置成一旦接收到所述电流就产生所述热。
5.根据权利要求1所述的晶圆清洁工具,其中,所述高温清洁溶液的温度大于或等于60℃。
6.根据权利要求1所述的晶圆清洁工具,其中,所述加热杯包括:
加热元件,被配置成用于产生热;以及
非腐蚀性材料,具有高导热性并被配置成包围所述加热元件。
7.根据权利要求6所述的晶圆清洁工具,其中,所述非腐蚀性材料包括石英或特氟纶。
8.根据权利要求6所述的晶圆清洁工具,其中,所述加热元件包括加热线圈,所述加热线圈位于所述非腐蚀性材料中的空腔内。
9.根据权利要求1所述的晶圆清洁工具,其中,所述高温清洁溶液包括以下溶液中的一种或多种:氢氧化铵、过氧化氢和水的混合物;HPM溶液(HCl/H2O2/H2O);盐酸和水的混合物(HCl/H2O);食人鱼洗液;硝酸和水的混合物(HNO3/H2O);硝酸、盐酸和水的混合物(HNO3/HCl/H2O);四甲基氢氧化铵(TMAH);磷酸和水的混合物(H3PO4/H2O);氢氟酸、硝酸和丙酸的混合物(HF/HNO3/C2H5COOH);氢氟酸、磷酸和丙酸的混合物(HF/H3PO4/C2H5COOH);有机溶剂。
10.根据权利要求1所述的晶圆清洁工具,其中,所述加热杯沿着所述半导体晶圆的周边与所述半导体晶圆间隔相等的距离。
11.一种单晶圆清洁工具,包括:
加工室,具有被配置成容纳半导体晶圆的杯状壳体;
分配臂,被配置成为所述半导体晶圆提供高温清洁溶液;
加热元件,被配置成在将所述高温清洁溶液提供给所述分配臂之前,增加所述高温清洁溶液的温度;以及
加热杯,在所述加工室内设置在环绕所述半导体晶圆的周边的位置处,并且具有位于所述半导体晶圆之上的开口,所述开口防止所述加热杯在横向方向上延伸至所述半导体晶圆之上的位置;
其中,所述加热杯被配置成产生热,所述热使所述半导体晶圆的外边缘的温度升高的量大于所述半导体晶圆的中心的温度升高的量。
12.根据权利要求11所述的单晶圆清洁工具,其中,所述高温清洁溶液的温度大于或等于60℃。
13.根据权利要求11所述的单晶圆清洁工具,其中,所述加热杯包括:
加热元件,被配置成用于产生热;以及
非腐蚀性材料,具有高导热性并被配置成用于包围所述加热元件。
14.根据权利要求13所述的单晶圆清洁工具,其中,所述非腐蚀性材料包括石英或特氟纶。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310167328.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:旋挖钻机节能控制关键参数检测装置
- 下一篇:机动车检验台车轮定位装置