[发明专利]碱土金属氧化物-聚合物抛光垫有效
| 申请号： | 201310168375.4 | 申请日： | 2013-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103386653A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | D·B·詹姆斯;D·M·阿尔登;A·R·旺克 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | B24D3/00 | 分类号： | B24D3/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 项丹 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碱土金属 氧化物 聚合物 抛光 | ||
1.一种抛光垫，所述抛光垫用于抛光半导体基片、磁性基片和光学基片中的至少一种，所述抛光垫包含：
聚合物基质，所述聚合物基质具有抛光表面；
聚合物微元件，所述聚合物微元件分布在所述聚合物基质中和所述聚合物基质的抛光表面上；所述聚合物微元件具有外表面并且被流体填充从而在抛光表面产生纹理；以及
分布在各聚合物微元件中的含碱土金属氧化物区域，所述含碱土金属氧化物区域被分隔开，以覆盖聚合物微元件小于50%的外表面；并且总量小于0.1重量%的聚合物微元件与以下组分相结合：i)粒度大于5μm的含碱土金属氧化物颗粒；ii)覆盖了聚合物微元件超过50%的外表面的含碱土金属氧化物区域；以及iii)聚合物微元件，所述聚合物微元件与含碱土金属氧化物颗粒团聚至平均簇尺寸大于120μm。
2.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，与所述聚合物微元件结合的含碱土金属氧化物区域的平均尺寸为0.01-3μm。
3.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述聚合物微元件的平均尺寸为5-200微米。
4.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述含碱土金属氧化物区域覆盖所述聚合物微元件1-40%的外表面。
5.一种抛光垫，所述抛光垫用于抛光半导体基片、磁性基片和光学基片中的至少一种，所述抛光垫包含：
聚合物基质，所述聚合物基质具有抛光表面；
聚合物微元件，所述聚合物微元件分布在所述聚合物基质中和所述聚合物基质的抛光表面上；所述聚合物微元件具有外表面并且被流体填充从而在抛光表面产生纹理；以及
分布在各聚合物微元件中的含碱土金属氧化物区域，所述含碱土金属氧化物是氧化钙、氧化镁或者它们的混合物，所述含碱土金属氧化物区域被分隔开，以覆盖聚合物微元件1-40%的外表面；并且总量小于0.05重量%的聚合物微元件与以下组分相结合：i)粒度大于5μm的含碱土金属氧化物颗粒；ii)覆盖了聚合物微元件超过50%的外表面的含碱土金属氧化物区域；以及iii)聚合物微元件，所述聚合物微元件与含碱土金属氧化物颗粒团聚至平均簇尺寸大于120μm。
6.如权利要求5所述的抛光垫，其特征在于，分布在所述聚合物微元件上的含碱土金属氧化物区域的平均粒度为0.01-2微米。
7.如权利要求5所述的抛光垫，其特征在于，所述聚合物微元件的平均尺寸为10-100微米。
8.如权利要求5所述的抛光垫，其特征在于，所述含碱土金属氧化物区域覆盖所述聚合物微元件2-30%的外表面。
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